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纳微GaNFast™ 推动世界上最薄的旅行适配器

时间:2018-03-05 10:40来源:纳微 作者:纳微 点击:
GaN功率IC应用在厚度仅为14mm的超薄高功率密度适配器上
2018年3月5日--纳微(Navitas)宣布GaNFast™功率IC应用在前所未有的14mm超薄外形通用型45W电源适配器Mu One。这个用于全球范围的超薄适配器可轻松滑入口袋,其中结合了GaN功率IC技术与新型USB-PD电源输送协议和先进的Type C连接器,可以为笔记本电脑充电,或者为任何智能手机快速充电。
 

 
新型高速氮化镓(GaN)功率IC的性能比旧式硅(Si)芯片的好20倍以上。通过高频工作并同时提高效率,GaNFast功率IC可减小变压器、散热片和印刷电路板等组件的尺寸、重量和成本。
 
Made in Mind首席执行官Mathew Judkins评论道:“Made in Mind一向致力于挑战行业规范,我们寻求志同道合的最出色合作伙伴。Mu One中的纳微GaNFast芯片在充电速度、效率和尺寸方面带来了巨大优势,连同其他先进技术,大大提升了消费者对我们的新产品系列在性能和便利性的期望。”
 
纳微现场应用及技术营销总监黄万年表示:“在这样的超薄外形尺寸中设计这样高的功率,是业界的一个重要进步。随着我们的客户使用GaNFast功率IC技术来实现新一代电源适配器,消费者可以期待一系列新型的高密度快速充电的适配器将在未来几个月陆续面世。”
 
最近获engadget网站报道的Mu One 45W适配器现在通过Kickstarter提供,并很快在量产后在机场、主要街道和网上商店销售。
关于纳微
纳微(Navitas)半导体公司是世界上第一家也是唯一的 GaN 功率IC 公司, 于 2013 年在美国加利福尼亚州 El Segundo 成立。纳微拥有强大且不断增长的功率半导体行业专家团队,在材料、器件、 应用程序、系统和营销及创新成功记录的领域内,合共拥有超过200年的经验;此外,其多位创始人也合共拥有超过200项专利。该公司专有的 AllGaN™ 工艺设计套件将最高性能的 GaN FET 与逻辑和模拟电路单片集成。纳微GaN 功率IC为移动、消费、企业和新能源市场提供更小、更高能效和更低成本的电源。 纳微拥有或正在申请的专利超过 30 项。
 
关于Made in Mind
Made in Mind由Matthew Judkins和Min-Kyu Choi于2009年创立。两人在英国帝国理工学院和皇家艺术学院的校园相遇,并且成立了该公司,将Min-Kyu在研究期间开发的折叠插头设计概念商业化。随后许多个人和组织加入了Matthew和Min-Kyu的行列,为这一概念的发展、资金和营销做出了贡献,随着Mu于2012年发布,这个概念正式实现。目前Made in Mind的多样化团队由精通多个行业和技术的专业人士组成,正在扩展产品线,并将Mu带到全球。
(责任编辑:helen)
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