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Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

时间:2018-10-22 08:59来源:Littelfuse 作者:Littelfuse 点击:
支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用
2018年10月22日--Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。
 

碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000
 
碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多重优势,包括电动和混动汽车、数据中心及辅助电源。 相比同类的Si IGBT,LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可带来一系列系统级优化机会,包括提高效率、增加功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本的可能性。
 
此外,相比市面上其他业内领先的碳化硅MOSFET器件,Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更优越的性能。 碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型应用包括:
·太阳能逆变器
·开关模式和不间断电源
·电机驱动器
·高压DC/DC转换器
·感应加热
 
“此产品可改善现有应用,并且Littelfuse应用支持网络可促进新的设计方案。”Littelfuse半导体事业部电源半导体全球产品营销经理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可为基于硅的传统功率晶体管器件提供富有价值的替代选择。 相比同类IGBT,MOSFET器件结构可减少每个周期的开关损耗并提高轻载效率。 固有的材料特性让碳化硅MOSFET能够在阻断电压、特定导通电阻和结电容方面优于硅MOSFET。”
 
新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装,具有以下关键优势:
·专为高频、高效应用优化
·极低栅极电荷和输出电容
·低栅极电阻,适用于高频开关
 
供货情况
LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只装TO-247-3L管式封装。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。 如需了解Littelfuse授权经销商名录,请访问littelfuse.com。
 
如要了解更多信息:
可通过以下方式查看更多信息: LSIC1MO170E1000E碳化硅MOSFET产品页面。
如要了解供应情况、初始定价和一般技术咨询,请联系Littelfuse半导体事业部电源半导体全球产品营销经理Michael Ketterer: mketterer@littelfuse.com
 
如有技术问题,请联系:电源半导体热线: powersemisupport@littelfuse.com
 
关于 Littelfuse
Littelfuse 成立于 1927 年,是电路保护领域的全球领导者,功率和传感领域的全球平台也在不断增长。公司以其在保险丝、半导体、聚合物、陶瓷、继电器和传感器等方面的技术服务于电子产品、汽车和工业市场的客户。Littelfuse 在全球 50 多个办事处拥有超过 1.1 万名员工。更多信息请访问 Littelfuse 公司网站:Littelfuse.com。
 
敬请关注力特奥维斯Littelfuse官方微信:Littelfuse_career
(责任编辑:helen)
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