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Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

时间:2017-11-27 14:52来源:Vishay 作者:Vishay 点击:
器件在10V下的最大导通电阻为0.58mΩ,栅极电荷为61nC,采用小尺寸PowerPAK® SO-8单片封装
2017年11月27日--日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的25V N沟道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。
 

 
今天发布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK®SO-8封装,是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比,SiRA20DP的典型栅极电荷更低,只有61nC,FOM为0.035Ω*nC,低32%。其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%甚至更多。
 
SiRA20DP的低导通电阻可减小传导功率损耗,提高系统效率,实现更高的功率密度,特别适合冗余电源架构中的OR-ring功能。器件的FOM较低,可提高开关性能,如通信和服务器电源中DC/DC转换,电池系统中的电池切换,以及5V到12V输入电源的负载切换。
这颗MOSFET经过了100%的RG和UIS测试,符合RoHS,无卤素。
 
SiRA20DP现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十五周。
 
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站
www.vishay.com
 
(责任编辑:helen)
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