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UnitedSiC的1200V碳化硅FET能够为IGBT、硅和碳化硅MOSFET用户提供业界最高性能的升级途径

时间:2018-05-25 16:02来源:UnitedSiC 作者:UnitedSiC 点击:
UJ3C1200系列是一种直接更换的解决方案,无需改变栅极驱动电压
2018年5月24日--功率因数校正(PFC)、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器的设计人员现在可以通过使用来自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅(SiC )结型场效应晶体管(JFET)共源共栅(cascodes)来升级现有系统的性能。这些器件的电压额定值为1200 V,导通电阻为80和40mΩ,能够为许多现有的IGBT、硅和碳化硅MOSFET部件提供“直接更换”替代解决方案,而无需改变栅极驱动电路。这简化了设计升级,并为现有零部件提供了可替代采购来源。
 
对于功率因数校正、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器等应用,需要更高的效率和/或功率密度,所涉及的终端应用包括车载电动汽车(EV)充电器、叉车电池充电、光伏逆变器以及焊接等。
 
UJ3C1200系列基于UnitedSiC的第三代SiC晶体管技术,将一个碳化硅 JFET与定制设计的硅MOSFET集成在一起,凭借SiC JFET的速度、效率和高温额定值,实现通常关运行、高性能体二极管和MOSFET简单栅极驱动的完美组合。因此,现有系统可以实现性能提升,降低传导和开关损耗,提高热性能,并集成有栅极ESD保护。在新设计中,UnitedSiC UJ3C1200系列可提供实质性的系统优势,能够提高开关频率和效率,并可减小磁性元件和电容器等被动元件的尺寸和成本。
 
UnitedSiC将在PCIM 2018 ECOMAL欧洲展台7-406上展示1200V FET系列产品。
 
UnitedSiC还将参加两个小组讨论:
“未来5年电源制造商面临的挑战和机遇”-- 2018年6月5日(星期二)12:00 - 13:00,6展厅155号展位。
“碳化硅 – 面向未来设计的器件” --- 2018年6月6日(星期三),13:30 – 14:30, 6展厅155号展位。
 
有关UnitedSiC的更多信息,请访问www.unitedsic.com
 
价格和供货
UJ3C1200系列碳化硅场效应晶体管现已经在授权分销商处销售,发货数量最低为500件,起价为10.39美元。
 
主要优势
• 低Rdson:降低传导损耗
• 灵活的栅极驱动:易于直接更换IGBT、硅或其他碳化硅MOSFET设计,或使用0V至12V简单栅极驱动,节省BOM成本
• 低热阻:允许更高的RMS电流,提供更多的输出功率
• ESD保护:HBM Class 2级别保护,确保栅极上的过压尖峰被钳位
 
评论
UnitedSiC副总裁Anup Bhalla在谈及新型SiC晶体管系列的优势时表示:“这些令人兴奋的新器件能够使设计人员采用SiC技术,而无需担心栅极驱动器的复杂性。高性能体二极管和集成式栅极ESD保护为设计人员带来更多附加值,同时帮助用户获得许多独家供应商部件的第二来源。”
 
技术资料
• UJ3C120080K3S 数据表
• UJ3C120040K3S 数据表

关于UnitedSiC
UnitedSiC致力于开发创新的碳化硅二极管和FET功率半导体,为电动汽车(EV)充电器、AC-DC和DC-DC电源、可变速马达驱动器和太阳能光伏逆变器提供业界最佳的SiC效率和高温下的性能。
 
 
(责任编辑:helen)
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