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安森美半导体发布碳化硅(SiC)二极管用于要求严苛的汽车应用

时间:2018-06-05 15:28来源:安森美 作者:安森美 点击:
更低损耗和更快开关带来高能效、节省空间的方案和更低系统总成本
2018年6月5日--推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管的扩展系列,包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性,以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。
 

 
SiC技术提供比硅器件更佳的开关性能和更高的可靠性。SiC二极管没有反向恢复电流,开关性能与温度无关。极佳的热性能、增加的功率密度和降低的电磁干扰(EMI),减小的系统尺寸和降低的成本使SiC成为越来越多的高性能汽车应用的极佳选择。
 
安森美半导体的新的SiC二极管采用流行的表面贴装和通孔封装,包括TO-247、D2PAK和DPAK。FFSHx0120 1200伏特(V)第一代器件和FFSHx065 650 V 第二代器件提供零反向恢复、低正向电压、与温度无关的电流稳定性、极低漏电流、高浪涌电容和正温度系数。它们提供更高的能效,而更快的恢复则提高了开关速度,从而减小了所需的磁性元件的尺寸。
 
为了满足强固性要求,并在汽车应用恶劣的电气环境中可靠地工作,二极管的设计能够承受大的浪涌电流。它们还包含一种提高可靠性和增强稳定性的独特专利终端结构。工作温度范围为-55℃至175℃。
 
安森美半导体高级总监Fabio Necco说:“安森美半导体推出符合AEC车规的器件,扩展了肖特基二极管系列,为汽车应用带来SiC技术的显著优势,使客户能够达到这一行业对性能的严苛要求。SiC技术非常适用于汽车环境,提供更高的能效、更快的开关、更好的热性能和更高的强固性。在讲究节省空间和重量的领域,SiC更高的功率密度有助于减少整体方案的尺寸,以及更小的磁性器件带来的相关优势,受客户所欢迎。”
 
安森美半导体将在PCIM期间展示这些新的器件以及公司在宽禁带、汽车、电机控制、USB-C供电、LED照明等领域的方案和用于工业预测性维护应用的智能无源传感器(SPS)。
 
安森美半导体还将展示领先行业的先进SPICE模型,该模型易于受到程序参数和电路布局扰动的影响,因此相对于当前行业建模能力是一大进步。使用该工具,电路设计人员可提早在仿真过程评估技术,而无需经过昂贵和耗时的制造迭代。安森美半导体强固的SPICE预测模型的另一个好处是它可连接到多种行业标准的仿真平台端口。
 
欲了解关于安森美半导体在PCIM的更多信息,请访问www.onsemi.cn/pcim
 
更多资源和文档:
• 碳化硅二极管登录页
• 碳化硅仿真模型
• 宽禁带演示视频

关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问
http://www.onsemi.cn

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(责任编辑:helen)
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