2013年中国国际半导体技术大会(CSTIC 2013)盛大开幕

本文作者:admin       点击: 2013-03-18 00:00
前言:


全球半导体专业人士汇聚一堂,2013年中国国际半导体技术大会(CSTIC 2013)在浦东嘉里酒店盛大开幕,会议由大会主席、IBM Waston研究中心林庆煌博士主持。
 
SEMI全球副总裁、SEMI中国总裁Allen Lu在大会开幕致辞中表示,2013中国国际半导体技术大会是半导体产业的一次盛宴,各位嘉宾将在这里与中国以及世界半导体专业高手过招,学习和交流。本届大会邀请到来自世界各地的许多半导体产业界的专家和学者,中国国际半导体技术大会已成为一年一度中国半导体产业的技术盛会。
 
会上,上海市科委副主任陈杰为本次大会送来热烈的祝贺,并发表致辞表示,如今,半导体技术不断发展的和壮大,政府也出台许多相关政策扶持高科技产业,上海市政府在推动产业链的发展和升级上扮演着重要角色。同时,他也希望一年一度的半导体技术省会越办越好。
 
 
随后,由大会主办方SEMI与ECS共同设立的优秀学生与优秀年轻工程师奖举行了颁奖仪式。清华大学的Tao Deng获得ECS优秀学生奖,Yingying Bai获得SEMI优秀年轻工程师奖。
 
接下来,诺贝尔经济学奖得主Ivar Giaever教授带来了题目为“超导体隧道效应的发现”的精彩演讲。来自挪威的Ivar Giaeve讲述了他在通用电气公司工作的经历,他说,一个好的工作环境能为我们带来好的创意,能给我们提供更好的条件。对于一个非常重要的实验现象,许多科学家都会去做,而重要的是你要试着证明自己是错的。要获得诺贝尔奖,就必须是好奇心,要有竞争力、有创意、有自信,并保持怀疑的态度。Ivar Giaeve在1973年获得诺贝尔物理学奖。
 
IBM Waston研究中心的Ghavam Shahidi博士在“2020年CMOS技术的发展:挑战和机遇”的主题演讲中表示,摩尔定律的发展正在放缓,但还没有以任何方式结束。直到2020年这十年间,摩尔定律的缩放比例将继续扩大。而光刻、元器件、互联、封装等方面的技术将存在挑战和机遇。我们未来的目标和方向是寻求更低的功耗、更快的运行速度以及更低的成本。
 
英特尔技术和制造集团副总裁Peng Bai博士演讲题为“22nm的SoC平台技术在3D三栅极和高K金属栅极晶体管低功耗,高性能,高密度的应用”,他在演讲中介绍了22nm的SOC三栅极晶体管、高性能逻辑晶体管、低功耗逻辑晶体管和高电压I / O晶体管。并对互连,模拟/被动元件,SRAM等技术进行相关的介绍。英特尔22nm SoC的3D三栅极晶体管技术具有世界级的领先优势,该技术具有灵活性、高性能、低功耗、高电压、高密度互连堆叠以及RF /混合信号的功能,广泛应用于移动设备,平板电脑,无线ASIC和嵌入式SoC产品等。SoC 3D三栅极晶体管技术成为推进摩尔定律不断向前发展的关键。
 
 
SEMICON China 2013同期举办的中国国际半导体技术大会(CSTIC 2013), 是中国最大的面向半导体产业的技术大会。本届技术大会设有11个专题研讨会,收到超过500多篇优秀论文,并有1000多位专业听众前来参会。演讲内容涵盖先进技术、产业发展、最新动态、产业的未来展望等,演讲者将站在产业前沿,对产业的最新技术与新时代产业发展等角度深入剖析。 

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