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Vishay推出的高速红外发射器，亮度提高30 %，且可消除多余的侧向辐照光
前言：
850 nm、890 nm和940 nm器件采用带侧光挡板的小型0805表面贴封装，辐照强度达13 mW/sr，工作温度范围-40 C至+110 C
2019年11月20日--日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型2 mm x 1.25 mm x 0.8 mm 0805表面贴装高速红外（IR）发射器系列---VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01，该系列器件是业内带侧光挡板的最小封装，扩充其光电产品组合。Vishay Semiconductors VSMY5850X01（850 nm）、VSMY5890X01（890 nm）和VSMY5940X01（940 nm）器件采用SurfLight™表面发射器芯片技术，辐照强度比前代器件提高30 %，工作温度范围-40 C至+110 C。
传统PCB封装采用全透明环氧树脂内嵌发射器芯片，导致侧光在摄像图像中产生光晕。日前发布的红外发射器侧壁不透明，防止多余的侧向辐照光，不需要外部遮挡，如橡胶圈，从而简化设计，非常适合用于虚拟或增强现实应用的位置跟踪。
与全向发光的标准红外发射器不同，SurfLight VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01几乎所有光和功率都从芯片顶部发出。由于大部分光集中于表面，因此红外发射器辐照强度可达13 mW/sr，适用于接近传感器、光开关和小型光障。器件亮度半强角为± 60°，开关速度仅为7 ns，100 mA条件下正向电压低至1.6 V。
VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01符合严格的AEC-Q101标准，适用于汽车应用，仓储寿命为168小时，湿度敏感度等级达到J-STD-020标准3级。器件支持无铅（Pb）回流焊工艺，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。
新型红外发射器现可提供样品并已实现量产，供货周期为10周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
Surlight是Vishay Intertechnology的商标。
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