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Vishay推出的新款高能效和高精度智能功率模块可支持新一代微处理器

本文作者：Vishay 点击： 2021-03-16 16:25

前言：

器件采用PowerPAK® 5 mm x 6 mm封装，内置电流和温度监测功能，满足基础设施、云计算和图形卡应用需求

2021年3月16日--日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出九款采用热增强型5 mm x 6 mm PowerPAK® MLP56-39封装，集成电流和温度监测功能的新型70 A、80 A和100 A VRPower® 智能功率模块。Vishay Siliconix SiC8xx系列智能功率模块提高能效和电流报告精度，降低数据中心和其他高性能计算，以及5G移动基础设施通信应用的能源成本。

产品编号	PWM电平	电流	输入电压
SiC822	5 V	70 A	4.5 V - 16 V
SiC822A	3.3 V	70 A
SiC820	5 V	80 A
SiC820A	3.3 V	80 A
SiC840	5 V	100 A
SiC840A	3.3 V	100 A
SiC832	5 V	70 A	4.5 V - 21 V
SiC832A	3.3 V	70 A
SiC830	5 V	80 A
SiC830A	3.3 V	80 A

日前发布的功率模块含有功率MOSFET和先进的驱动IC。为提高能效，器件内部MOSFET采用先进的TrenchFET® Gen IV技术，这一技术确立行业性能基准，显著降低开关和传导损耗。SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93 %以上。轻载时可启用二极管仿真模式，提高全负载范围的效率。

采用电感器DCR监控功耗的解决方案，电流报告精度为7 %，而SiC8xx 系列器件采用低边MOSFET进行检测，精度误差小于3 %。从而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc. 和 Nvidia Corporation等公司大电流处理器和片上系统（SoC）性能，改进热管理。器件适用于同步降压转换器、CUP和GPU的多相VRD、存储器以及DC/DC VR模块。

SiC8xx功率模块输入电压为4.5 V至21 V（如表中所示），开关频率高达2 MHz。故障保护功能包括高边MOSFET短路和过流报警、过热保护和欠压锁定（UVLO）。 SiC8xx系列支持3.3 V和5 V 三态PWM逻辑电平，兼容各种PWM控制器。

智能功率模块现可提供样品并已实现量产，供货周期为16周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

The DNA of tech 是Vishay Intertechnology的商标。VRPower 、PowerPAK和TrenchFET是Siliconix公司注册商标。本文中所有其他商标是各自所有人的资产。

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