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2021年11月30日--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。
TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄性封装（SO6L）可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。传统采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器与伺服放大器等设备，现在可直接通过该光耦驱动其IGBT／MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型化。
TLP5702H的峰值输出电流额定值为±2.5A。SO6L封装可兼容东芝传统的SDIP6封装的焊盘[1]，便于替代东芝现有产品[2]。SO6L比SDIP6更纤薄，能够为电路板组件布局提供更高的灵活性，并支持电路板背面安装，或用于器件高度受限的新型电路设计。
这两款光耦的最高工作温度额定值均达到125℃（Ta＝-40℃至125℃），使其更容易设计和保持温度裕度。
此外，东芝提供的同系列器件还包括TLP5702H（LF4）与TLP5705H（LF4），采用SO6L（LF4）封装的引线成型选项。
应用：
工业设备
- 工业逆变器、交流伺服驱动器、光伏逆变器、UPS等。
特性：
- 高峰值输出电流额定值（@Ta＝-40℃至125℃）
IOP＝±2.5A（TLP5702H）
IOP＝±5.0A（TLP5705H）
- 薄型SO6L封装
- 高工作温度额定值：Topr（最大值）＝125℃
主要规格：
（除非另有说明，@Ta＝-40℃至125℃）
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器件型号 |
TLP5702H （LF4） |
TLP5705H （LF4） |
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封装 |
名称 |
SO6L |
SO6L（LF4） |
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尺寸（毫米） |
10×3.84（典型值）, 厚度：2.3（最大值） |
11.05×3.84（典型值）, 厚度：2.3（最大值） |
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绝对最大额定值 |
工作温度Topr（℃） |
-40至125 |
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峰值输出电流IOPH/IOPL（A） |
±2.5 |
±5.0 |
±2.5 |
±5.0 |
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电气特性 |
峰值高电平输出电流 IOPH最大值（A） |
@IF＝5mA， VCC＝15V， V6-5＝-7V |
-2.0 |
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|
峰值低电平输出电流 IOPL最小值（A） |
@IF＝0mA， VCC＝15V， V5-4＝7V |
2.0 |
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|
峰值高电平输出电流（L/H） IOLH最大值（A） |
@IF＝0→10mA， VCC＝15V， Cg＝0.18μF， CVDD＝10μF |
－ |
-3.5 |
－ |
-3.5 |
|
|
峰值低电平输出电流（H/L） IOHL最小值（A） |
@IF＝10→0mA， VCC＝15V， Cg＝0.18μF， CVDD＝10μF |
－ |
3.0 |
－ |
3.0 |
|
|
电源电压VCC（V） |
15至30 |
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|
电源电流ICCH，ICCL最大值（mA） |
3.0 |
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输入电流阈值（L/H） IFLH最大值（mA） |
5 |
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开关特性 |
传播延迟时间 tpHL，tpLH最大值（ns） |
200 |
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|
脉宽失真 ｜tpHL–tpLH｜最大值（ns） |
50 |
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|
传播延迟差 （器件到器件） tpsk（ns） |
-80至80 |
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|
共模瞬变抗性 CMH，CML最小值（kV/μs） |
@Ta＝25℃ |
±50 |
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隔离特性 |
隔离电压 BVS最小值（Vrms） |
@Ta＝25℃ |
5000 |
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库存查询与购买 |
- |
- |
||||
注：
[1] 封装高度：4.25毫米（最大值）
[2] 现有产品：采用SDIP6封装的TLP700H
如需了解相关新产品的更多信息，请访问以下网址：
TLP5702H
TLP5705H
如需了解相关东芝光半导体器件的更多信息，请访问以下网址：
隔离器／固态继电器
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TLP5702H
TLP5705H
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司22,000名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过7,100亿日元（65亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息，请访问以下网址：https://toshiba-semicon-storage.com
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