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东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装

本文作者：东芝点击： 2023-08-31 10:46

前言：

2023年8月31日--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。

新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。

使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。

东芝将继续扩大自身产品线，进一步契合市场趋势，并助力用户提高设备效率，扩大功率容量。

使用新型SiC MOSFET的3相逆变器

使用SiC MOSFET的3相逆变器

简易方框图

 应用：

- 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）

- 电动汽车充电站

- 光伏变频器

- 不间断电源（UPS）

 特性：

- 4引脚TO-247-4L(X)封装：

栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，可降低开关损耗

- 第3代碳化硅MOSFET

- 低漏源导通电阻×栅漏电荷

- 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）

 主要规格：

（除非另有说明，Ta＝25℃）

器件型号	封装	绝对最大额定值			电气特征							库存查询与购买
		漏源电压 VDSS （V）	栅源电压 VGSS （V）	漏极电流（DC） ID （A）	漏源导通电阻 RDS(ON) （mΩ）	栅极阈值电压 Vth （V）	总栅极电荷 Qg （nC）	栅漏电荷 Qgd （nC）	输入电容 Ciss （pF）		二极管正向电压 VDSF （V）
				Tc＝25℃	VGS＝18V	VDS＝10V	VGS＝18V	VGS＝18V	典型值	测量条件 VDS （V）	VGS＝-5V
				Tc＝25℃	典型值	VDS＝10V	典型值	典型值	典型值	测量条件 VDS （V）	典型值
TW015Z120C	TO-247-4L(X)	1200	-10至25	100	15	3.0至5.0	158	23	6000	800	-1.35	在线购买
TW030Z120C				60	30		82	13	2925			在线购买
TW045Z120C				40	45		57	8.9	1969			在线购买
TW060Z120C				36	60		46	7.8	1530			在线购买
TW140Z120C				20	140		24	4.2	691			在线购买
TW015Z65C		650		100	15		128	19	4850	400		在线购买
TW027Z65C				58	27		65	10	2288			在线购买
TW048Z65C				40	48		41	6.2	1362			在线购买
TW083Z65C				30	83		28	3.9	873			在线购买
TW107Z65C				20	107		21	2.3	600			在线购买