器件型号 |
|||||||||
通道数 (正向:反向) |
4 (3:1) |
||||||||
默认输出逻辑 |
低 |
高 |
低 |
高 |
|||||
使能控制 |
输出使能 |
输入禁用 |
|||||||
封装 |
SOIC16-W |
||||||||
绝对最大额定值 |
工作温度Topr(°C) |
–40至125 |
|||||||
存储温度Tstg(°C) |
–65至150 |
||||||||
隔离电压 BVS(Vrms) |
t=1分钟,Ta=25 °C |
最小值 |
5000 |
||||||
电气特性 |
共模瞬态抑制 CMTI(kV/μs) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V, VCM=1500 V |
典型值 |
100 |
|||||
数据速率 tbps(Mbps) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V |
最大值 |
50 |
||||||
脉宽失真 PWD(ns) |
典型值 |
0.8 |
|||||||
传输延迟时间 tPHL、tPLH(ns) |
10.9 |
||||||||
库存查询与购买 |
器件型号 |
|||||||
通道数 (正向:反向) |
4 (4:0) |
||||||
默认输出逻辑 |
低 |
高 |
低 |
高 |
|||
使能控制 |
无 |
输出使能 |
|||||
封装 |
SOIC16-W |
||||||
绝对最大额定值 |
工作温度Topr(°C) |
–40至125 |
|||||
存储温度Tstg(°C) |
–65至150 |
||||||
隔离电压 BVS(Vrms) |
t=1分钟,Ta=25 °C |
最小值 |
5000 |
||||
电气特性 |
共模瞬态抑制 CMTI(kV/μs) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,VCM=1500 V |
典型值 |
100 |
|||
数据速率 tbps(Mbps) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5V |
最大值 |
50 |
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脉宽失真 PWD(ns) |
典型值 |
0.8 |
|||||
传输延迟时间 tPHL、tPLH(ns) |
10.9 |
||||||
库存查询与购买 |
器件型号 |
||||||
通道数 (正向:反向) |
4 (2:2) |
|||||
默认输出逻辑 |
低 |
高 |
||||
使能控制 |
输出使能 |
|||||
封装 |
SOIC16-W |
|||||
绝对最大额定值 |
工作温度Topr(°C) |
–40至125 |
||||
存储温度Tstg(°C) |
–65至150 |
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隔离电压 BVS(Vrms) |
t=1分钟,Ta=25 °C |
最小值 |
5000 |
|||
电气特性 |
共模瞬态抑制 CMTI(kV/μs) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,VCM=1500 V |
典型值 |
100 |
||
数据速率 tbps(Mbps) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V |
最大值 |
50 |
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脉宽失真 PWD(ns) |
典型值 |
0.8 |
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传输延迟时间 tPHL、tPLH(ns) |
10.9 |
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库存查询与购买 |
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