TLP5814H的适用器件 |
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SiC MOSFET |
额定电压超过300 V的高压Si MOSFET |
IGBT |
优异 |
良好 |
适用 |
器件型号 |
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有源米勒钳位功能 |
内置 |
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封装 |
名称 |
SO8L |
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尺寸(mm) |
典型值 |
5.85Í10Í2.1 |
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绝对最大额定值 |
工作温度Topr(°C) |
–40至125 |
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峰值输出电流IOPL/IOPH(A) |
+6.8/–4.8 |
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峰值钳位灌电流ICLAMP(A) |
+6.8 |
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推荐工作条件 |
电源电压VCC(V) |
13至23 |
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输入导通电流IF(ON)(mA) |
4.5至10 |
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电气特征 |
高电平供电电流ICCH(mA) |
VCC–VEE=23 V |
最大值 |
5.0 |
低电平供电电流ICCL(mA) |
最大值 |
5.0 |
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输入阈值电流(L/H)IFLH(mA) |
最大值 |
3.0 |
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UVLO电压阈值VUVLO+(V) |
最大值 |
13.2 |
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开关特征 |
传输延迟时间(L/H)tpLH(ns) |
VCC=23 V |
最大值 |
150 |
传输延迟时间(H/L)tpHL(ns) |
VCC=23 V |
最大值 |
130 |
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共模瞬态抗扰度CMH、CML(kV/μs) |
Ta=25 °C |
最小值 |
±70 |
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隔离特征 |
隔离电压BVS(Vrms) |
Ta=25 °C |
最小值 |
5000 |
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