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2025年9月25日--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式出货。
100V U-MOS11-H系列优化了器件结构，进一步改善了U-MOSX-H系列的漏源导通电阻（RDS(ON)）、总栅极电荷（Qg）以及这两者（RDS(ON)×Qg）之间的平衡，从而降低了导通及开关损耗。
与U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低了约8%，Qg降低了37%，RDS(ON)×Qg改善了42%。此外，它还可通过应用寿命控制技术[2]实现高速体二极管性能，从而降低反向恢复电荷（Qrr）并抑制尖峰电压。与TPH3R10AQM相比新产品的Qrr改善约38%，RDS(ON)×Qrr改善约43%。这些业界领先[3]的RDS(ON)×Qg和RDS(ON)×Qrr平衡特性[4]可最大限度降低功耗，从而提高电源系统的效率和功率密度。新产品还采用SOP Advance (N)封装，具有与行业标准高度兼容的贴装特性。
东芝现在还提供以下两款电路设计支持工具：可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型，以及可精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
未来东芝将继续扩大其低损耗MOSFET的产品线，为实现更高效的电源以及降低设备功耗做出贡献。
应用：
- 数据中心和通信基站等工业设备的电源
- 开关电源（高效率DC-DC转换器等）
特性：
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)＝2.7mΩ（最大值）（VGS＝10V、ID＝50A、Ta＝25°C）
- 低总栅极电荷：Qg＝52nC（典型值）（VDD＝50V、VGS＝10V、ID＝50A、Ta＝25°C）
- 低反向恢复电荷：Qrr＝55nC（典型值）（IDR＝50A、VGS＝0V、–dIDR/dt＝100A/μs、Ta＝25°C）
主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25°C）
|
器件型号 |
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|
绝对最大额定值 |
漏极-源极电压VDSS（V） |
100 |
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漏极电流（DC）ID（A） |
Tc＝25°C |
190 |
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|
结温Tch（°C） |
175 |
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|
电气特性 |
漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ） |
VGS＝10V、ID＝50A |
最大值 |
2.7 |
|
VGS＝8V、ID＝50A |
最大值 |
3.6 |
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|
总栅极电荷Qg（nC） |
VDD＝50V、VGS＝10V、ID＝50A |
典型值 |
52 |
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|
栅极开关电荷Qsw（nC） |
典型值 |
17 |
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|
输出电荷Qoss（nC） |
VDD＝50V、VGS＝0V、f＝1MHz |
典型值 |
106 |
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|
输入电容Ciss（pF） |
VDS＝50V、VGS＝0V、f＝1MHz |
典型值 |
4105 |
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|
反向恢复电荷Qrr（nC） |
IDR＝50A、VGS＝0V、–dIDR/dt=100A/μs |
典型值 |
55 |
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封装 |
名称 |
SOP Advance(N) |
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尺寸（mm） |
典型值 |
5.15×6.1 |
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库存查询与购买 |
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注：
[1] 截至2025年9月，东芝的低压功率MOSFET工艺。东芝调查。
[2] 寿命控制技术：利用Pt扩散工艺在半导体中引入缺陷，故意缩短载流子寿命，可提高开关速度，进而可提高二极管的恢复速度并降低噪声。
[3] 截至2025年9月，与其他适用于工业级100V N沟道功率MOSFET相比。东芝调查。
[4] RDS(ON)×Qg＝120mΩ·nC（典型值），RDS(ON)×Qrr＝127mΩ·nC（典型值）
如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：
TPH2R70AR5
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MOSFET
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司22,200名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过7,971亿日元（49.6亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息，请访问以下网址：https://toshiba-semicon-storage.com
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