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2021年5月12日--大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美半导体（ON Semiconductor）高频率准谐振NCP1342的65W PD电源适配器方案。
电源适配器在电子产品中占据相当大的空间，在过去一段时间里，人们采用以硅(silicon)为材料的电源技术来缩减产品尺寸，但随着市场对于高功率密度的需求日益增高，硅材料在现有尺寸规格下，已经无法在所需的频率下输出更高的功率。因此，GaN就成了大功率适配器的首选材料。由大联大友尚推出的基于ON Semiconductor高频率准谐振NCP1342的65W PD电源适配器方案，搭配英诺赛科的GaN MOS，可以在保障产品小型化的同时拥有更大的功率。
图示1-大联大友尚基于ON Semiconductor产品的65W PD电源适配器方案的实体图
GaN被称为第三代半导体材料，电子迁移率远远高于硅，输出电容也远小于硅，这使得其具有宽能带隙特性，可以使电源设计达到更高的功率密度和效率水平，从而降低了开关损耗和传导损耗，支持更高的开关频率，有助于实现更高功率的小尺寸电源设计。
此外，本方案中的核心器件是ON Semiconductor高频率准谐振NCP1342，其具有专有的谷值锁定电路，可确保稳定的谷值切换。在设计上，NCP1342采用最小峰值电流调制（MPCM）来快速降低开关频率，以确保针对高频设计的轻负载性能。不仅如此，NCP1342还内置若干关键保护电路，可确保实现坚固耐用的转换器性能。
图示2-大联大友尚基于ON Semiconductor产品的65W PD电源适配器方案的方块图
核心技术优势：
高频率准谐振反激控制芯片；
支持8pin与9pin的2种封装；
集成了HV pin，里面同时集成了BO与X2电容放电功能；
NCP1342有波谷锁定功能，最多6个波谷锁定；
最小工作频率（26KHz）的钳制和安静跳模式；
空载功耗<；30 mW @ 265 Vac；
频率抖动以减小EMI干扰；
频率反走以及MPCM（最小峰值电流调制）功能来减少开关次数提高轻载效率。
方案规格：
采用NCP1342搭配英诺赛科的INN650D0265W做的小体积电源适配器，尺寸：60 x 31 x 31mm；
待机功耗小于60mW；
功率密度达到18W/in3；
满载最大效率达到94%；
支持PD3.0。
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