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Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 m

本文作者：Vishay 点击： 2022-02-07 15:56

前言：

小型器件采用无引线键合鸥翼引线结构，提高板级可靠性

2022年2月7日--日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低导通电阻，工作温度可达+175 C以及高连续漏极电流。节省空间的PowerPAK® 8x8L封装采用无引线键合鸥翼引线结构消除机械应力，有助于提高板级可靠性。

SiJH600E和SiJH800E超低导通电阻—10 V下典型值分别为0.65 m和1.22 m—比同代PowerPAK SO-8封装器件分别降低54 %和52 %，从而减小了传导功耗，实现节能的效果。

为提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E连续漏极电流分别为373 A和288 A，封装占位面积比D2PAK封装减小60 %，高度降低57 %。为节省电路板空间，每款MOSFET还可以用来取代两个并联的PowerPAK SO-8器件。

器件规格表：

产品型号	V_DS (V)	I_D (A)	R_DS(ON)@ 10 V (mW)	R_thjc (°C/W)
SiJH600E	60	373	0.65	0.36
SiJH800E	80	299	1.22	0.36

该Vishay Siliconix器件工作温度可达+175 C，性能稳定可靠，适用于电源、电机驱动控制、电池管理和电动工具等应用同步整流。器件采用无铅 (Pb) 封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。

封装对比表:

封装	长 (mm)	宽 (mm)	高 (mm)	尺寸 (长x宽mm²)
PowerPAK 8x8L	8.0	7.9	1.8	63.2
D²PAK (TO-263)	15.2	10	4.4	152

SiJH600E和SiJH800E现可提供样品。产品供货周期和数量的相关信息，请与Vishay或我们的经销商联系。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

The DNA of tech.是Vishay Intertechnology的商标。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix公司的注册商标。

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