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东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

本文作者：东芝点击： 2026-05-21 14:57

前言：

2026年5月21日--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。

随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求，东芝开发了TW007D120E，该产品将有助于降低功耗，并实现电源系统的小型化和更高效率。

TW007D120E采用东芝专有的沟槽栅结构[1]，实现了业界领先[2]的单位面积低导通电阻（RDS(on)A）；其通过更低的导通电阻降低导通损耗，同时实现更低的开关损耗。与东芝现有产品相比，TW007D120E将RDS(on)A降低了约58%[3]，品质因数（导通电阻×栅漏电荷，即RDS(on)×Qgd，代表导通损耗和开关损耗之间的平衡）提高了约52%[3]。这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热，从而提升整体系统效率。

这有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能，这对下一代AI数据中心的功率转换至关重要。

东芝计划在2026财年实现TW007D120E的量产，并将继续拓展其产品线，包括面向汽车应用的产品开发。凭借这款沟槽栅SiC MOSFET，东芝将助力数据中心及各类工业设备提升能效、降低二氧化碳排放，为低碳社会的实现做出贡献。

TW007D120E基于JPNP21029项目取得的成果，该项目由日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）资助。

 应用：

- 数据中心电源（AC-DC、DC-DC）

- 光伏逆变器

- 不间断电源（UPS）

- 电动汽车充电站

- 储能系统

- 工业电机

 特性：

- 低导通电阻和低RDS(on)A

- 低开关损耗和低RDS(on)×Qgd

- 较低的栅极驱动电压：VGS_ON＝15V至18V

- 高热性能QDPAK封装

 主要规格：

（除非另有说明，Tvj＝25°C）

器件型号				TW007D120E
封装	名称			QDPAK
绝对最大额定值	漏极-源极电压VDSS（V）			1200
绝对最大额定值	漏极电流（DC）ID（A）	Tc＝25°C		172
电气特性	漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ）	VGS＝15V	典型值	7.0
	栅极阈值电压Vth（V）	VDS＝10V		3.0至5.0
	总栅极电荷Qg（nC）	VGS＝15V	典型值	317
	栅极-漏极电荷Qgd（nC）	VGS＝15V	典型值	33
	输入电容Ciss（pF）	VDS＝800V	典型值	13972
	二极管正向电压VSD（V）	VGS＝0V	典型值	3.2