2018年5月7日--碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布，已经为UJ3C（通用型）和UF3C（硬开关型）系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
这些新器件能够提供新级别的高压电源性能，适用于快速增长的数据中心服务器电源、5G基站电信整流器以及电动汽车车载充电器等应用。这些新器件将对设计工程师具有极大吸引力，他们仍然喜欢采用3引脚，TO220或D2PAK封装选项，但同时也在努力提高功率因数校正电路、LLC谐振转换器和相移全桥转换器的功率性能。
UnitedSiC的UJ3C和UF3C FET产品系列的独特之处在于其真正的“直接替代”功能。设计人员通过采用UnitedSiC FET替换已有的Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或硅超级结器件，即可显著提高系统性能，而无需改变栅极驱动电压。
两个系列的SiC FET均基于UnitedSiC独特的“共源共栅”电路配置，其中常开（normally-on）SiC JFET与Si MOSFET共同封装，可构建出具有标准栅极驱动特性的常关（normally-off）SiC FET器件。因此，现有系统在采用UnitedSiC“直接替代”FET升级后将具有很大性能提升，实现更低的导通和开关损耗，增强的热性能和集成栅极ESD保护。如果是新设计，UnitedSiC FET可提供更高的开关频率，从而带来显著的系统优势，能够实现更高效率，并可减小磁性元件和电容器等无源元件的尺寸和成本。
通过UnitedSiC的烧结银（sintered-silver）封装技术，行业标准的三引脚TO220-3L封装能够提供增强的热特性。以这种封装提供的新产品包括RDS（on）值为30和80mΩ的UJ3C器件，以及RDS（on）规格为40mΩ的UF3C器件。
三引线行业标准D2PAK-3L封装则针对表面贴装而设计，并通过IPC和JEDEC的湿度灵敏度等级1（Moisture Sensitivity Level 1）认证。以该封装提供的新产品包括RDS（on）规格为30mΩ和80mΩ的UJ3C器件，以及RDS（on）规格为30mΩ和40mΩ的UF3C器件。
UnitedSiC也可提供符合AEC-Q101标准的汽车级器件。
价格和供货信息
所有器件的单价依RDS（on）值而不同，以1,000片最小批量计算，对于D2PAK-3L封装，器件的单价从5.18美元到14.35美元不等；而对于TO220-3L封装，器件的单价为5.18美元至13.79美元。器件在Mouser和Richardson Electronics等UnitedSiC授权分销商处有库存。
所有器件的单价依RDS（on）值而不同，以1,000片最小批量计算，对于D2PAK-3L封装，器件的单价从5.18美元到14.35美元不等；而对于TO220-3L封装，器件的单价为5.18美元至13.79美元。器件在Mouser和Richardson Electronics等UnitedSiC授权分销商处有库存。
关于 UnitedSiC
UnitedSiC致力开发创新的碳化硅场效应晶体管（FET）和二极管等功率半导体器件，为电动汽车充电系统、DC-DC转换器和牵引驱动，以及电信/服务器电源、可变速马达驱动器和太阳能光伏逆变器等应用提供业界最佳的碳化硅效率和性能。
欲了解更多信息，请访问公司网站：www.unitedsic.com。.
UnitedSiC致力开发创新的碳化硅场效应晶体管（FET）和二极管等功率半导体器件，为电动汽车充电系统、DC-DC转换器和牵引驱动，以及电信/服务器电源、可变速马达驱动器和太阳能光伏逆变器等应用提供业界最佳的碳化硅效率和性能。
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