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UnitedSiC在UF3C FAST产品系列中新增两个650V SiC FET封装

本文作者:UnitedSiC       点击: 2019-07-25 08:06
前言:

2019年7月24日-- 新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布,在公司快速发展的650V SiC FET硬开关UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项。
 
新产品的RDS(on)值分别为30mΩ(UF3C065030T3S)和80mΩ(UF3C065080T3S),采用行业标准的三引脚TO220-3L封装,结合了UnitedSiC自己开发的烧结银(sintered-silver)封装技术,因而具有更强的散热性能。
 
对于电动汽车充电、光伏逆变器、开关电源、功率因数校正模块、马达驱动和感应加热等应用,设计人员正在寻求以3引脚TO220封装实现更高性能,这些新器件是面向这些应用的理想选择。
 
这两款全新的SiC FET产品均基于UnitedSiC独特的 “共源共栅”电路配置,其中常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装,以构建常关型SiC FET器件。器件的标准栅极驱动特性允许在现有设计中真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件,设计人员能够以更低的传导和开关损耗实现更高性能,同时具有更强的散热性能和集成的栅极ESD保护。
 
而对于新设计,UnitedSiC FET可提供更高的开关频率,从而能够实现更高效率,更小尺寸,更低的无源元件(如磁性元件和电容器)成本等显著系统优势。FAST系列器件不仅具有超低栅极电荷,而且在具有类似额定值的任何器件中还可提供最佳反向恢复特性。如果与推荐的RC缓冲器一起使用,这些器件非常适合于开关电感性负载,以及任何需要标准栅极驱动的应用。
 
UnitedSiC UF3C FAST SiC产品系列现有14种器件,可提供TO247-3L、TO247-4L、TO220-3L和D2PAK7-3L封装,并具备4种1200V和10种650V选项。
 
如果想获取更多数据表等信息,请访问:https://unitedsic.com/cascodes/。UnitedSiC 还可提供SiC FET用户指南,其中重点介绍使用RC缓冲器和快速开关SiC器件的实用解决方案和应用指南,请访问:https://bit.ly/2wKNLhs获取。
 
价格和供货信息
以1000片最小批量计,UF3C065080T3S单价为5.18美元,UF3C065030T3S单价为13.79美元。UnitedSiC全球分销合作伙伴贸泽电子(Mouser)和理察森电子(Richardson Electronics)以及其他当地分销商可提供库存。
 
关于 UnitedSiC
UnitedSiC致力开发创新的碳化硅场效应晶体管(FET)和二极管等功率半导体器件,为电动汽车充电系统、DC-DC转换器和牵引驱动,以及电信/服务器电源、可变速马达驱动器和太阳能光伏逆变器等应用提供业界最佳的碳化硅效率和性能。
 
欲了解更多信息,请访问公司网站:www.unitedsic.com