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QORVO®全新碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）放大器可进一步降低电信基础设施成本

本文作者：QORVO 点击： 2017-08-10 15:35

前言：

双晶体管模块针对宏基站设计提供无与伦比的性能

2017年8月10日--实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器---QPD2731，有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）解决方案在单个封装中采用两个晶体管，可最大限度提高线性度、效率和增益，并最终降低运营成本。

Strategy Analytics服务总监Eric Higham表示：“相比GaAs和InP等其他高频技术，GaN器件可以处理更高的功率；相比LDMOS等其他功率技术，GaN的频率性能更出色。”

Qorvo高性能解决方案业务部门总经理Roger Hall表示：“如今的电信基础设施设计就是要实现可降低成本的高功效。我们的客户告诉我们，随着运营商在线提供更多功能，新型GaN-on-SiC QPD2731晶体管可实现这些目标。”

因为LDMOS和GaN-on-Si与之相比，热性能较差，客户正越来越多地转向使用GaN-SiC，以大幅改善无线基站的性能、线性度和效率。QPD2731通过预匹配分立式GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）实现这一转变。目前提供样片的这款新型放大器可在2.5至2.7 GHz的工作范围内提供业内最高性能。

根据Qorvo之前发布的内容，通过标准的市售第三方DPD系统可实现QPD2731的线性化。

QPD2731功能
工作频率范围	2.5 – 2.7 GHz
Doherty 峰值输出功率	55.0dBm (316W)
Doherty 漏极效率	60.0% (47.5dBm)
Doherty 增益	16.0 dB
4引脚无耳式陶瓷法兰 NI780 封装

Qorvo提供包含不同功率、电压和频率级别水平的广泛的氮化镓（GaN）分立式晶体管产品，采用裸片级和封装级解决方案。有关这些产品的更多信息，请访问：http://www.qorvo.com/products/discrete-transistors/gan-hemts。

关于Qorvo
Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）长期坚持提供创新的射频解决方案以实现更加美好的互联世界。我们结合产品和领先的技术优势、以系统级专业知识和全球性的制造规模，快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo服务于全球市场，包括先进的无线设备、有线和无线网络和防空雷达及通信系统。我们在这些高速发展和增长的领域持续保持着领先优势。我们还利用我们独特的竞争优势，以推进5G网络、云计算、物联网和其他新兴的应用市场以实现人物、地点和事物的全球互联。访问www.qorvo.com了解Qorvo如何创造美好的互联世界。

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