2019年7月15日--英飞凌OptiMOS™ 3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装，与先前型号相比，具有更高的功率密度和稳健性，从而降低系统成本和提升整体性能。客户可以访问儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn了解有关OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品信息。
由于具有最低的导通电阻(RDS(on))，这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外，通管壳(Junction to Case (RthJC)) 的较低热阻提供了出色的散热性能，从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷(Qrr)通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性，从而最大限度地减少对缓冲电路的需求，同时也减少了工程成本和工作量。
这些BiC MOSFET器件的额定温度为175°，有助于实现在更高的工作结温下具有更高功率，或者在相同的工作结温下具有更长使用寿命的设计。此外，随着额定温度的增加，安全工作区域(SAO)亦改善了20%。
这些BiC MOSFET具有出色的性能数据，非常适合电信、服务器、三相逆变器、低压驱动器以及D类音频等应用。英飞凌OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品系列包括60V至250V型款。
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儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)是欧洲第三大分销商(资料来源：European分销报告2017) 以及世界第十一大分销商 (资料来源：SourceToday，2018年5月)。作为宽线产品分销商，儒卓力可提供半导体、无源和机电组件以及显示屏、嵌入式主板、存储解决方案和无线解决方案等。公司的主要目标市场是汽车、医疗、工业、家用电器、能源和照明业。
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