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Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W，在连续条件下功耗高达1.3W，而同类产品的功耗则多出一倍。
因此，该MOSFET的运行温度更低，并可节省空间，加上离板高度仅为0.4毫米，尤其适用于超薄便携式消费电子产品，包括平板电脑及智能手机。Diodes 率先提供额定电压为20V、30V及60V的N沟道和P沟道器件，这些器件可用于多种高可靠性的负载开关 (load switching)、信号转换 (signal switching) 及升压转换 (boost conversion) 应用。
例如，额定电压为20V的DMN2300UFB4 N沟道MOSFET的导通电阻仅为150mΩ，比同类解决方案低一半以上，有助于大幅减少传导损耗和功耗。而P沟道、20V 的DMN2300UFB4可提供类似的同类领先性能。这两款MOSFET同时具备较高的静电放电额定值 (ESD Rating)，分别为2kV和3kV。
更多产品信息，请访问www.diodes.com。
Diodes简介
Diodes Incorporated是一家标普低市值600指数 (S&P SmallCap 600 Index) 及罗素3000指数公司，是活跃于广泛的分立、逻辑及模拟半导体市场的全球领先的高质量特殊应用标准产品的制造商及供应商，服务于消费电子、计算机、通信、工业及汽车等不同市场。Diodes的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、特殊功能阵列、单门逻辑、放大器和比较器、霍尔效应及温度传感器，涵盖LED驱动器、DC-DC开关和线性稳压器、电压参考在内的电源管理器件，以及USB电源开关、负载开关、电压监控器及电机控制器等特殊功能器件。
Diodes公司总部、物流中心及美国销售办事处位于美国德克萨斯州普莱诺市，在普莱诺市、加利福尼亚州圣荷西、台北、英国曼切斯特和德国诺伊豪斯设有设计、市场及工程中心；在密苏里州堪萨斯城及曼切斯特设有晶圆制造厂；在上海及德国诺伊豪斯分别设有两座和一座制造厂，另在成都设有合资工厂；在台北、香港及曼切斯特设有工程、销售、仓储及物流办事处；并在世界各地设有销售及支持办事处。
更多详尽信息，包括美国证交会档案，请浏览公司网站：www.diodes.com。
因此，该MOSFET的运行温度更低，并可节省空间，加上离板高度仅为0.4毫米，尤其适用于超薄便携式消费电子产品，包括平板电脑及智能手机。Diodes 率先提供额定电压为20V、30V及60V的N沟道和P沟道器件，这些器件可用于多种高可靠性的负载开关 (load switching)、信号转换 (signal switching) 及升压转换 (boost conversion) 应用。
例如，额定电压为20V的DMN2300UFB4 N沟道MOSFET的导通电阻仅为150mΩ，比同类解决方案低一半以上，有助于大幅减少传导损耗和功耗。而P沟道、20V 的DMN2300UFB4可提供类似的同类领先性能。这两款MOSFET同时具备较高的静电放电额定值 (ESD Rating)，分别为2kV和3kV。
更多产品信息，请访问www.diodes.com。
Diodes简介
Diodes Incorporated是一家标普低市值600指数 (S&P SmallCap 600 Index) 及罗素3000指数公司，是活跃于广泛的分立、逻辑及模拟半导体市场的全球领先的高质量特殊应用标准产品的制造商及供应商，服务于消费电子、计算机、通信、工业及汽车等不同市场。Diodes的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、特殊功能阵列、单门逻辑、放大器和比较器、霍尔效应及温度传感器，涵盖LED驱动器、DC-DC开关和线性稳压器、电压参考在内的电源管理器件，以及USB电源开关、负载开关、电压监控器及电机控制器等特殊功能器件。
Diodes公司总部、物流中心及美国销售办事处位于美国德克萨斯州普莱诺市，在普莱诺市、加利福尼亚州圣荷西、台北、英国曼切斯特和德国诺伊豪斯设有设计、市场及工程中心；在密苏里州堪萨斯城及曼切斯特设有晶圆制造厂；在上海及德国诺伊豪斯分别设有两座和一座制造厂，另在成都设有合资工厂；在台北、香港及曼切斯特设有工程、销售、仓储及物流办事处；并在世界各地设有销售及支持办事处。
更多详尽信息，包括美国证交会档案，请浏览公司网站：
