Diodes全新DFN3020封装MOSFET节省七成空间

Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下，可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET，节省七成的电路板空间。

DFN3020 MOSFET系列的占位面积只有6平方毫米，离板高度为0.8毫米，较采用SOT23或TSOP-6封装的器件低四成，适用于平板电脑或上网本等空间有限、体积小巧的消费电子产品的负载开关或升压转换电路。这款互补型DFN3020 MOSFET还可用作半桥 (half bridge) 来驱动工业应用中的电机负载。

这些MOSFET的结点至环境热阻 (ROJA) 为83ºC/W，功耗可连续保持在2.4W的高水平，工作温度也低于SOT23封装MOSFET可达到的水平，因而有助提高可靠性。 

ZXMN2AMC (双20V N沟道)、ZXMN3AMC (双30V N沟道) 及ZXMC3AMC (互补30V) DFN3020封装MOSFET现已开始供应。有关产品的进一步数据，可浏览www.diodes.com。 

Diodes简介

Diodes Incorporated是一家标普低市值600指数 (S&P SmallCap 600 Index) 及罗素3000指数公司，是活跃于广泛的分立、逻辑及模拟半导体市场的全球领先的高质量特殊应用标准产品的制造商及供应商，服务于消费电子、计算机、通信、工业及汽车等不同市场。Diodes的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、特殊功能阵列、单门逻辑、放大器和比较器、霍尔效应及温度传感器，涵盖LED驱动器、DC-DC开关和线性稳压器、电压参考在内的电源管理器件，以及USB电源开关、负载开关、电压监控器及电机控制器等特殊功能器件。

Diodes公司总部、物流中心及美国销售办事处位于美国德克萨斯州普莱诺市，在普莱诺市、加利福尼亚州圣荷西、台北、英国曼切斯特和德国诺伊豪斯设有设计、市场及工程中心；在密苏里州堪萨斯城及曼切斯特设有晶圆制造厂；在上海及德国诺伊豪斯分别设有两座和一座制造厂，另在成都设有合资工厂；在台北、香港及曼切斯特设有工程、销售、仓储及物流办事处；并在世界各地设有销售及支持办事处。

更多详尽信息，包括美国证交会档案，请浏览公司网站：www.diodes.com。