罗姆开发出耐压40V的功率MOSFET

日本知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）开发出耐压40V的功率MOSFET ，最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。

新系列产品根据用途采用6种封装，共13种产品。从9A到100A（可用于需要大电流的大功率设备），所适用的电流値范围更宽。另外，采用罗姆独家的新构造，与以往的一般产品相比，功率转换性能改善约30％，尤其对需要大电流的大功率设备的DC/DC电源电路实现更低功耗贡献巨大。

关于生产基地，前期工序在罗姆株式会社总部（京都），后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）、ROHM Korea Corporation (韩国)。从2012年4月份开始出售样品(样品价格30日元～100日元/个)，计划从7月份开始以月产100万个的规模投入量产。

近年来，在各种设备的DC/DC电源电路中，一直通过改善功率转换效率来实现节电。其中，也要求对功率转换影响巨大的功率MOSFET具有更低损耗、更高效率。

一直以来，罗姆为客户提供了众多面向消费电子的中功率的高效率MOSFET，随着24V输入的大型大功率工业设备和车载领域的发展，对耐压40V级别、支持大电流的高效率功率MOSFET的需求日益高涨。

新系列产品采用了罗姆独家的低电容构造和“沟槽式场板结构”，成功地同时实现了本为相互制约关系的低导通电阻与低栅极电容。由此，作为DC/DC转换器用功率MOSFET的性能指数所使用的“FOM”与以往产品相比大幅减小，达到了业界最高级别的高效率。不仅如此，还可支持高频动作，有助于外围部件的小型化。

另外，根据用途可提供6种封装，在工业设备和车载领域中广泛使用的大功率封装(TO-220, LPTS)产品阵容中，又增添了适用100A大电流的产品，有助于大幅降低设备的功耗。

此外，本产品为了确保同步整流电路中的性能，针对UIS(L负载雪崩耐量)实施了100%试验，在质量方面也具有高可靠性。罗姆今后也将充分发挥独创的先进工艺加工技术，不断推进设想到客户需求的晶体管产品的开发。

＜特点＞
1）采用新构造，实现了业界最高级别的高效率性能
进一步微细化，同时，采用罗姆独家的低电容构造和新的“沟槽式场板结构”，实现了低电容与低导通电阻兼备
的元件。与罗姆以往产品相比，表示功率MOSFET的性能指数的“FOM”数值可大幅减小。
2）100A的大电流、适用于工业设备和车载用设备
根据不同用途，提供6种封装。效率更高，使在高频区域的使用成为可能。不仅如此，还可支持100A的大电流，可满足工业设备和车载领域中的各种需求。