MOSFET封装节省占板空间并提高充电器性能

Diodes公司应用的高热效率、超小型DFN封装的双器件组合技术,推出便携式充电设备的开关。

Diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020两种封装以供选择。DMP2160UFDB则把两个相同的MOSFET组合封装成DFN2020形式。 

与传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mm x 3mm封装相比，DFN2020节省了55%的PCB空间；仅0.5mm的板外高度，也比传统封装薄了50%，符合下一代产品设计的要求。用于这些封装的MOSFET均具有低栅电荷，在 1.8V VGS下的典型R DS(ON)为86mΩ，以确保开关及导通损耗最小。

为了进一步提升效率，应用于这些封装的二极管是Diodes自己的高性能超势垒整流器 (SBR)。凭借其仅有0.42V的典型低正向压降，SBR的功率损耗远低于传统肖特基二极管。

Diodes Incorporated简介

Diodes Incorporated (纳斯达克交易代码：DIOD)为标普低市值600指数 (S&P SmallCap 600 Index) 和罗素3000（Russell 3000）指数公司，是分立及模拟半导体市场的优质专用标准产品领先全球的制造商和供应商，致力于消费电子产品、计算、通信、工业及汽车市场。Diodes的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、专用功能阵列、放大器和比较器、霍尔效应传感器和温度传感器，以及包括LED驱动器、DC/DC开关器、稳压器、线性稳压器和电压基准的电源管理器件，还有USB电源开关、负载开关、电压监控器和电机控制器等特殊功能器件。

 
Diodes总部位于美国德州达拉斯市，在南加州设有销售、市场、工程及物流办事处；在达拉斯、圣荷塞、台北、英国和德国设有设计中心；在密苏里州堪萨斯城和英国曼切斯特设有晶圆制造厂；在中国上海设有两家制造厂，在德国诺伊豪斯设有一家制造厂，另于中国成都设有合资厂房；在台北、香港及曼切斯特设有工程、销售、仓库及物流办事处；并在世界各地设有销售与支持办事处。

更多详尽信息，包括美国证交会档案，请浏览公司网站www.diodes.com。

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发稿：Diodes Incorporated
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