IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET为低功率应用扩展封装组合

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。

新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的选择，并带有标准或逻辑水平栅极驱动器。这些器件只需要4mm2的占位空间，采用IR最新的低电压 N-通道和P-通道硅技术，从而达到极低的导通电阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封装的高功率密度。 

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR的新型PQFN2x2器件进一步扩展IR广阔的功率 MOSFET系列，也可以满足我们客户的需求，进一步缩小封装尺寸，并结合基准硅技术。这些新器件拥有超小尺寸和高密度，非常适合于高度数字化内容相关的应用。”

这个PQFN2x2系列包括为负载开关的高侧而优化的P-通道器件，带来一个更简单的驱动解决方案。同时，新器件的厚度少于1 mm，使它们与现有的表面贴装技术兼容，并且拥有行业标准的占位空间，还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。

产品规格
组件编号 配置 BV (V) 最大Vgs (V) 在10V下
典型/最大RDS(on)  (mΩ) 在4.5V下
典型/最大RDS(on)  (mΩ) 在2.5V下
典型/最大RDS(on)  (mΩ)
IRFHS9301 单一 -30 -20 30/37 48/60 -
IRLHS2242 单一 -20 -12 - 25 / 31 43 / 53
IRLHS6242 单一 +20 +12 - 9.4 / 11.7 12.4 / 15.5
IRLHS6342 单一 +30 +12 - 12 / 16 15 / 20
IRFHS8242 单一 +25 +20 10/13 17 / 21 -
IRFHS8342 单一 +30 +20 13/16 20 / 25 -



产品现正接受批量订单。数据及MOSFET产品选项工具已刊登于 IR 的网站 www.irf.com。


专利和商标
IR® 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。

IR简介
国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR 成立于 1947 年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR 全球网站：www.irf.com，中国网站：www.irf.com.cn。