中芯国际与灿芯半导体40纳米低漏电工艺ARM Cortex-A9双核测试芯片成功流片

中国上海和英国剑桥——国际领先的IC设计公司及一站式服务供应商—灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）与中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证券交易所：SMI，香港联合交易所：0981.HK）及ARM今日联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM® Cortex™-A9 MPCore™双核测试芯片首次成功流片。

该测试芯片基于ARM Cortex-A9双核处理器设计，采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理器使用了一个集32K I-Cache和32K D-Cache，128 TLB entries，NEON™ 技术，以及包括调试和追踪技术的CoreSight™ 设计套件。除高速标准单元库，该测试芯片还采用高速定制存储器和单元库以提高性能。设计规则检测之签核流程（sign-off）结果已达到900MHz（WC），预计2012年第二季度流片结束后，实测结果将达到1.0GHz。

灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士指出：“ARM Cortex-A9双核测试芯片采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺，大幅缩短了整个芯片设计时间，并且降低了开发成本与流片风险，这一系列工艺技术和设计上的优化措施将推动高性能的Cortex-A9处理器快速面市。我们很高兴在处理器内核及其优化实现上与ARM及中芯国际建立紧密的合作伙伴关系，该测试芯片的顺利流片再次证明了三家公司合作的成功。有了ARM和中芯国际的支持，我们必将为需要高性能ARM内核的客户带来巨大价值。”

中芯国际首席商务长季克非表示：“通过与ARM和灿芯的密切合作，中芯国际能够为客户提供一个快速实现从设计到生产的完整平台。我们十分重视与灿芯、ARM的合作伙伴关系。也正因为他们的努力，我们才能达成此40纳米技术的重要里程碑，这对我们‘为客户提供最先进的制程技术’的共同承诺是最有力的证明。中芯国际40纳米技术结合ARM Cortex-A9处理器和灿芯的设计流程，将有助于满足高性能和低功耗消费电子产品日益增长的需求。”

ARM中国区总裁吴雄昂说：“在中国，ARM坚持致力于与合作伙伴共同努力，创造一个推动创新与成长的生态系统。这个与灿芯半导体、中芯国际共同创造的重要里程碑，证明了通过我们的合作，可以承诺并最终实现以高性能、低功耗的产品，来更快地满足市场不同领域的需求。”

关于ARM
ARM公司设计先进的数字产品核心应用技术，应用领域从无线、网络和消费娱乐解决方案到影像、汽车电子、安全应用及存储装置。 ARM提供广泛地产品，包括： 32位RISC微处理器、图形处理器、视频引擎、软件(enabling software)、单元库、嵌入式存储器、高速连接产品(PHY)、I/O(外设)和开发工具。 ARM公司综合了全面设计、培训、支持和维护方案等服务，通过协同众多技术合作伙伴为业界领先的电子企业提供快速、可靠的完整系统解决方案。欲了解ARM公司详情，请访问以下连接：http://www.arm.com/
关于灿芯半导体
灿芯半导体（上海）有限公司是一家ASIC 设计以及后段一站式服务公司，为客户提供最具成本效益的，可预测和可靠的定制化ASIC解决方案。与Open-Silicon和中芯国际成为战略合作伙伴，灿芯采用成熟的设计流程和方法，具备先进的设计能力，提供一站式定制化ASIC解决方案，以一个提供低成本，低风险的成熟商业模式替代了复杂的ASIC设计和开发的传统模式。欲了解更多讯息，请访问www.britesemi.com。

关于中芯国际
中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联合交易所股票代码：981)，是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到40纳米晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位于上海，在上海建有一座 300mm 晶圆厂和三座 200mm 晶圆厂。在北京建有两座 300mm 晶圆厂，在天津建有一座 200mm 晶圆厂，在深圳有一座 200mm 晶圆厂在兴建中。中芯国际还在美国、欧洲、日本和台湾地区提供客户服务和设立营销办事处，同时在香港设立了代表处。此外，中芯国际代武汉新芯集成电路制造有限公司经营管理一座 300mm 晶圆厂。详细信息请参考中芯国际网站 www.smics.com