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全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR），推出四款新型12V HEXFET功率MOSFET，适用于输入电压较低（一般为3.3V及5V）的负载点降压转换器。新MOSFET的电流处理效能较业界标准30V组件高出15%，非常适用于电信及数据通讯系统、桌上型计算机、服务器及游戏机内的负载点降压转换器。
IR台湾地区分公司总经理朱文义表示：「业界标准30V MOSFET主要用于较高输入电压，组件导通电阻及成本一般更高，但电流效能却较低。我们最新的12V MOSFET能为输入电压较低的降压转换器提供可靠防护频带（reliable guard band），电流处理效能也更佳，同时也满足客户对价格的要求。」
全新IRF7476、IRF7475、IRLR3802和IRLU3802 N通道MOSFET，以及IRF7910双N通道MOSFET皆经过最佳化，组件导通电阻及栅电荷均较低，传导及切换损耗因而得以大幅降低。
在低输入电压负载点降压转换器中，同步及控制MOSFET的工作周期颇为相似，一般高于30%。因此两种MOSFET可采用类似的规格，同时降低传导及切换损耗。
在6A或以下的负载电流方案中，独立的控制及同步MOSFET能以单一IRF7910双MOSFET代替，大幅节省机板空间。至于10A或以下的应用系统，可选用两个IRF7476或IRF7475 MOSFET；12A或以下电路则可采用IRLR3802。Tel: (886-02) 27394230
IR台湾地区分公司总经理朱文义表示：「业界标准30V MOSFET主要用于较高输入电压，组件导通电阻及成本一般更高，但电流效能却较低。我们最新的12V MOSFET能为输入电压较低的降压转换器提供可靠防护频带（reliable guard band），电流处理效能也更佳，同时也满足客户对价格的要求。」
全新IRF7476、IRF7475、IRLR3802和IRLU3802 N通道MOSFET，以及IRF7910双N通道MOSFET皆经过最佳化，组件导通电阻及栅电荷均较低，传导及切换损耗因而得以大幅降低。
在低输入电压负载点降压转换器中，同步及控制MOSFET的工作周期颇为相似，一般高于30%。因此两种MOSFET可采用类似的规格，同时降低传导及切换损耗。
在6A或以下的负载电流方案中，独立的控制及同步MOSFET能以单一IRF7910双MOSFET代替，大幅节省机板空间。至于10A或以下的应用系统，可选用两个IRF7476或IRF7475 MOSFET；12A或以下电路则可采用IRLR3802。Tel: (886-02) 27394230
