ST新款低阻抗功率MOSFET适用于DC/DC转换器

ST发布一款编号为STD150NH02L 的N通道MOSFET，它具有非常低的导通电阻（RDS(on)）、闸电荷与极低的热敏电阻。这些特性让STD150NH02L非常适用于大电流的DC/DC转换器。

STD150NH02L是一款N通道MOSFET，它支持24V的汲极到源极电压（VDS），以及最大150A的汲极电流（ID）。其额定的导通电阻为0.0035奥姆。在10V电压时，标准导通电阻为0.003奥姆，在5V电压时为0.005奥姆。这将有助于降低组件内的传导损失。

该组件的设计同时确保其具有极低的闸电荷（QG）。这些特色均能降低组件交换损失。另外，这个组件还具有极低的热敏电阻，可增强其电流管理能力。

STD150NH02L是以ST的第三代StripFET技术制造。它采用0.6微米制程，加上ST特有的金属处理技术、组装技术，能够在标准的DPAK封装内达到更优良的效能。这些功能特性，都让STD150NH02L适用于必须处理大量输出电流的高效能转换器。
想得知更多相关信息，请查阅：http://www.st.com/stripfet。