当前位置： CompoTech China > 厂商大本营（旧版） >
英飛凌科技(Infineon Technologies AG)宣布該公司電力半導體系列的最新成員；這些新產品有特別開發的高功能，可以節省系統設計所需要的機板空間高達50%。這個OptiMOS®2 30V N-channel MOSFET系列，是特別為了低電壓轉換與切換應用的最適功效而設計的，其效率比先前的筆記電腦、伺服器、電信應用、與個人電腦主機板的電壓轉換設備高出很多。例如，在這些應用上最普遍的降壓轉換器拓撲之中，效率增加了3%，所相應的熱力耗散大約減少20%。
直流電/直流電轉換的的一般趨勢是在較高的切換頻率有增加的負載電流。因為電力流失隨著負載電流的平方而增加，而且也隨著切換頻率而呈線性增加，所以這種趨勢表示，轉換器效率一定要改進才能符合熱與空間的規格。要達成這種改進，則可以使用英飛凌SuperSO8 封裝的OptiMOS 2 30V 新技術。
這種30V技術是OptiMOS 2 系列中同級最好的，在4.5V的閘極電壓提供達3.3 mW 〈milliohms〉的最大導通電阻〈RDS(on) 〉，而且有極低的總閘道充電電荷〈Qg〉，只有44 nC 〈nanocoulombs〉。 這產生了極佳的145 mWnC優劣評比〈FOM = RDS(on) x Qg〉，比最接近的競爭者還要低了大約20%。此外，這種技術由於極為堅固，因此在電感電路中非常強勁。
直流電/直流電轉換的的一般趨勢是在較高的切換頻率有增加的負載電流。因為電力流失隨著負載電流的平方而增加，而且也隨著切換頻率而呈線性增加，所以這種趨勢表示，轉換器效率一定要改進才能符合熱與空間的規格。要達成這種改進，則可以使用英飛凌SuperSO8 封裝的OptiMOS 2 30V 新技術。
這種30V技術是OptiMOS 2 系列中同級最好的，在4.5V的閘極電壓提供達3.3 mW 〈milliohms〉的最大導通電阻〈RDS(on) 〉，而且有極低的總閘道充電電荷〈Qg〉，只有44 nC 〈nanocoulombs〉。 這產生了極佳的145 mWnC優劣評比〈FOM = RDS(on) x Qg〉，比最接近的競爭者還要低了大約20%。此外，這種技術由於極為堅固，因此在電感電路中非常強勁。
