宾夕法尼亚 MALVERN — 2005 年 12 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码：VSH）推出两款可与外部 MOSFET 共同运行的新型同步降压控制器 IC，这些器件在需要 10A 输出电流的直流到直流转换器电路中具有的外部元件数最少。
高压 SiP12201 及低压 SiP12202 控制器均可在电池供电系统、电信及工业终端系统等广泛应用中实现灵活、高效的电压转换。这些新器件的同步降压架构可实现以 93% 的效率进行电压转换，从而延长可电池使用时间，同时减少封闭的现场安装或机架安装系统中的热量，以及降低对冷却系统的需求。
SiP12201 的输入电压范围介于 4.2V～26V，而 SiP12202 的介于 2.7V～5.5V。SiP12201 与 SiP12202 的可调输出电压范围分别介于 0.6V～20V 和 0.6V～5.5V。在低端达到 0.6V 的能力对于工作频率为 500kHz 的器件而言是一种独特功能，这一能力可确保 SiP12201 及 SiP12202 在未来十年中能够满足对预测可降至 0.6V 的更低电压的需求。
SiP12201 高压降压控制器
高压 SiP12201 同步降压控制器主要面向工业控制、无线及线缆调制解调器、机顶盒、液晶电视、电信电源与服务器以及负载点 (POL) 模块，并可为各种终端产品中的微处理器、ASIC、FPGA 及 DSP 提供稳压电源。SiP12201 能够驱动同步转换器中高端及低端的 n 通道 MOSFET，并且通过允许使用两个低成本 n 通道器件，而不是一个 n 通道和一个 p 通道器件，SiP12201 有助于降低整体设计成本。SiP12201 还具有工作频率为 500kHz 的优点，这一优点可实现在转换器设计中使用体积更小的无源元件。
SiP12202 低压降压控制器
低压 SiP12202 同步降压控制器主要面向电池供电电子产品、笔记本电脑与台式电脑，以及使用负载点或分布式电源转换器的其它系统中的电源转换。为确保在低输入电压情况下实现持续的高效率，可将该控制器设为 100% 占空比。在电池电量不足的情况下，该器件还能够通过转向 100% 占空比作为低压降 (LDO) 稳压器运行。
SiP12202 可在低端驱动 n 通道 MOSFET，以及在高端驱动 p 通道 MOSFET。在高端使用 p 通道 MOSFET 可无需使用外部充电泵，同时还可简化高端栅极驱动。高达 500 kHz 的高频率运行可允许使用更小的无源元件，以缩减终端系统的体积。
新型 SiP12201 与 SiP12202 降压控制器 IC：一览表
器件 输入电压（V） 可调输出
电压 (V) 最大转换器
负载 (A) 最大频率 (kHz) 外部 MOSFET
SiP12201 4.2～26 0.6～20 10 500 驱动高端与低端的 n 通道 MOSFET
SiP12202 2.7～5.5 0.6～5.0 10 500 驱动高端的 p 通道 MOSFET，以及低端的 n 通道 MOSFET
由于 Vishay 提供了兼容的控制器与 MOSFET 器件，因此设计人员可获得面向高压及低压降压应用的最全面解决方案。SiP12201 是为与 Vishay Si7114DN n 通道功率 MOSFET 配合使用而进行了优化，而 SiP12202 是为与Si7106DN p 通道及 Si7110DN n 通道功率 MOSFET 配合使用而进行了优化。
这两种新型降压控制器均包含补偿/关断引脚的组合，以及其它保护功能，例如欠压锁定、电源安全输出、输出电流限制及热关断。内部软启动功能可在启动时防止出现电压峰值。这两款控制器均采用无铅 (Pb) MLP33-10 封装，并且工作范围均规定为 -40C～+85C。
目前，这两款新型降压控制器 IC 的样品和量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为 6～7 周。
Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1,000 强企业”，是世界上分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器及传感器）的最大制造商之一。世界各地许多行业制造的产品中都能找到 Vishay 的元件。Vishay 总部位于宾夕法尼亚州的 Malvern，在 17 个国家设有工厂，员工超过 25,000人。有关 Vishay 的详细信息，可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com。
