模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 Zetex Semiconductors 近日推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。
这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封装）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（两者均为SOT23封装）。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2V 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。
三款新 MOSFET可确保1.8VGS 条件下的导通电阻 (RDS(ON) ) 分别低于75毫欧（mΩ）、100毫欧（mΩ）和200毫欧（mΩ），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。
快速开关性能是Zetex专有UMOS技术的另一个主要功能。例如ZXMN2B01F在VGS = 4.5V和ID = 1A的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。
Zetex简介
Zetex Semiconductors专门设计和制造高性能半导体解决方案，产品针对汽车、通信、消费及工业电子产品的模拟信号处理及功率管理。Zetex的产品涵盖特殊应用线性集成电路和分立式半导体器件，备有多元化封装配置，迎合模拟电路设计对更高能效、精确度和速度的需求。
Zetex是模拟技术方面的专家，致力提供多元化集成电路，这些产品适用于音频、视频和线性应用系统，以及马达控制和DC－DC转换。该公司的分立式器件包括沟道MOSFET、智能场效应管及双极型晶体管。
Zetex总部设于英国曼彻斯特附近，在亚洲、欧洲及美国设有制造和销售业务，经销商遍及逾四十五个国家。（www.zetex.com/salesnetwork）。其母公司Zetex PLC 在伦敦证券交易所上市（上市代码：ZTX）。
