致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)绝缘栅双极晶体管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)产品，备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPT IGBT产品系列专为严苛环境工作而设计，尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。
美高森美新的功率器件通过提供业界最佳的损耗性能来改进效率，与最接近竞争厂商的IGBT产品相比，效率提高了大约8%。新的NPT IGBT器件还能够实现高达150 kHz的极高开关速率，在与美高森美的碳化硅(silicon carbide, SiC)续流二极管(free-wheeling diode)配对使用时，开关速率可以获得进一步提高。针对最高150 KHz的较低速率应用，这些领先的650V NPT IGBT通过替代成本更高的600V至650V MOSFET器件，可让开发人员降低总体系统成本。
下一代650V产品系列中的所有器件都基于美高森美先进的Power MOS 8™ 技术，并且采用了最先进的晶圆薄化(wafer thinning)工艺。与竞争解决方案相比，显著降低了总体开关损耗，并且可让器件在难以置信的快速开关频率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市场的丰富传统，美高森美期望扩大IGBT市场份额，根据Yole Développement最新报告，这个市场正从现今的36亿美元增长到2018年的60亿美元。
这些NPT IGBT器件易于并联(Vcesat正温度系数)，可以提升大电流模块的可靠性。它们还具有额定短路耐受时间(short circuit withstand time rated, SCWT)，可以在严苛的工业环境中可靠运作。
新的IGBT器件备有各种封装，包括TO-247、T-MAX和模块。要了解更多信息或获取样品，请联络当地分销商或美高森美销售代表，或发送电子邮件到sales.support@microsemi.com。要了解更多的生产信息，请访问公司网站www.microsemi.com。
关于美高森美公司
美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 为通信、国防与安全、航天与工业提供综合性半导体与系统解决方案，产品包括高性能、耐辐射的高可靠性模拟和射频器件，可编程逻辑器件(FPGA)可定制单芯片系统(SoC) 与专用集成电路(ASIC)；功率管理产品、时钟与语音处理器件，RF解决方案；分立组件；安全技术和可扩展反篡改产品；以太网供电(PoE)IC与电源中跨(Midspan)产品；以及定制设计能力与服务。美高森美总部设于美国加利福尼亚州Aliso Viejo，全球员工总数约3,000人。欲获取更详尽信息，请访问网站：http://www.microsemi.com。
