功率管理领导厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）今天发布了一组电压为75V和100V，专用于AC-DC同步整流和Oring电路的MOSFET。这批新器件具备业界前所未有的超低导通电阻（例如，IRFB4310 [100V] RDS(on) =7mOhm；IRFB3207 [75V] RDS (on) = 4.5mOhm），能极大优化笔记本电脑、LCD适配器和服务器等应用中AC-DC SMPS的效率和功率密度。
IR推出的这一组新品MOSFET适用于反激、半桥、全桥、正激转换器等各类不同AC-DC拓扑架构的次边。传统上，在能量密度较高的SMPS中通常将肖特基二极管作为输出整流器件。以IR的同步整流MOSFET替代肖特基二极管，能极大提升电路效率。
IR中国及香港销售总监严国富表示：“计算机微处理器的运算速度越来越快，耗能也越来越大。IR新推出的整流MOSFET专门针对下一代数字系统，可实现更大功率、更高效率、更高能量密度的AC-DC SMPS。”
在实际应用中，IR这一新产品系列的同步整流MOSFET不仅能实现更高效率，而且能“以一顶二”压缩元器件数目，进而节省电路板空间、增加能量密度。此外，IR所确定的几类封装对简化现有设计的升级过程也十分有利。
IR推出的这一组新品具有TO-220、D2Pak和TO-262三种封装，均符合Q101和MSL1标准。用户还可以选用无铅封装，在同样价格、保证所有性能的前提下，进一步满足最新SMPS解决方案中所要求的“限制在电气及电子设备中使用有害物质”。有关无铅封装的知识详情参阅 http://www.irf.com/ehs/pbfreefaq.html。
IR推出的这一组新品MOSFET适用于反激、半桥、全桥、正激转换器等各类不同AC-DC拓扑架构的次边。传统上，在能量密度较高的SMPS中通常将肖特基二极管作为输出整流器件。以IR的同步整流MOSFET替代肖特基二极管，能极大提升电路效率。
IR中国及香港销售总监严国富表示：“计算机微处理器的运算速度越来越快，耗能也越来越大。IR新推出的整流MOSFET专门针对下一代数字系统，可实现更大功率、更高效率、更高能量密度的AC-DC SMPS。”
在实际应用中，IR这一新产品系列的同步整流MOSFET不仅能实现更高效率，而且能“以一顶二”压缩元器件数目，进而节省电路板空间、增加能量密度。此外，IR所确定的几类封装对简化现有设计的升级过程也十分有利。
IR推出的这一组新品具有TO-220、D2Pak和TO-262三种封装，均符合Q101和MSL1标准。用户还可以选用无铅封装，在同样价格、保证所有性能的前提下，进一步满足最新SMPS解决方案中所要求的“限制在电气及电子设备中使用有害物质”。有关无铅封装的知识详情参阅 http://www.irf.com/ehs/pbfreefaq.html。
