MicronTechnology,Inc.（纳斯达克股票代码：MU）今日宣布其混合式内存立方被行业专家小组提名为年度内存产品。
由EETimes和EDN于本周在DesignWest举办的ACE（先进计算机环境）颁奖活动上颁发了该奖项，该技术年会面向电子设计工程师、企业家和专业技术人员。随着各种应用的系统设计师对新型内存系统设计在带宽、密度和能源利用率方面的需求不断增长，此次年度大奖标志着业内一个关键时刻的到来。长期以来，在DRAM的性能提升率与处理器的数据消费率之间一直存在着缺口，这种困境被称为“内存壁垒”。而混合式内存立方（HMC）已被视为走出该困境的首要并且有巨大影响力的解决方案。
“电子设计新闻和EETimes(电子工程专辑)是对设计工程师和系统架构师最优影响力和深度的刊物”，MicronDRAM解决方案集团副总裁BrianShirley说到。“就混合式内存立方对电子行业前所未有的影响力方面能与他们达成共识，我们深感荣幸”。
HMC是业内的一次突破，采用了先进的直通硅晶穿孔技术（TSV），该技术使用垂直管道电子化连接独立芯片堆栈，并结合Micron最先进的DRAM芯片与高性能的逻辑。HMC在带宽和效率上大大超越了当前的设备能力，数据传输能力比DDR3暴增15倍，与现有技术相比，其能耗不到70%，体积只有90%。Micron预计将在今年晚些时候推出该技术革命的首款工程样本。
关于Micron
MicronTechnology,Inc.是全球领先的先进半导体解决方案供应商之一。通过它遍布全球的运营，Micron为先进的计算、用户、网络、嵌入式和移动产品生产和销售全套DRAM、NAND和NOR闪存，以及其他创新的存储器技术、封装方案和半导体系统。Micron的普通股在纳斯达克上市交易，代码是MU。欲了解有关MicronTechnology,Inc.的更多信息，请访问
