功率半导体供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了全新IRF6612 30V同步MOSFET，新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装。IRF6612兼具低导通电阻 (4.4mOhms@VGS = 4.5V) 和低封装电感，体现最佳性能组合，可用作非隔离直流-直流转换器中的同步整流器，大幅提升笔记本电脑和服务器的效率。IRF6612还可用于隔离式直流-直流转换器的付边同步整流，适用于网络及通信领域。
目前，采用英特尔迅驰 (Centrino) 移动技术的笔记本电脑都配备为处理器而设的电源解决方案；该方案采用两相设计，每相分别备有一个控制和两个同步SO-8封装MOSFET。这三个SO-8器件可利用一对DirectFET器件取代 – IRF6612作为同步MOSFET，IRF6608作为控制MOSFET。相比现在采用标准分立器件的电路设计，DirectFET解决方案既能减少器件数量，也可将MOSFET所占印刷电路板面积缩小33%。
IR的DirectFET MOSFET封装具备一系列在标准分立塑封内前所未见的崭新设计优点。其“金属帽”结构可散去主机板的热量，消除热量对高级微处理器性能的严重威胁。
此外，DirectFET功率MOSFET藉采用崭新双面冷却设计，为驱动这些处理器的高频直流-直流降压转换器带来双倍电流处理能力，延展它们在高档台式计算机、膝上型计算机、路由器及服务器中的先进效能。
客户可利用myPOWER网上设计中心内的MOSFET选择器工具，在同步降压电路上分析和比较IRF6612及其他低电压MOSFET。该工具能在以下网址免费下载：http://mypower.irf.com。IRF6612即日起投入供应。
目前，采用英特尔迅驰 (Centrino) 移动技术的笔记本电脑都配备为处理器而设的电源解决方案；该方案采用两相设计，每相分别备有一个控制和两个同步SO-8封装MOSFET。这三个SO-8器件可利用一对DirectFET器件取代 – IRF6612作为同步MOSFET，IRF6608作为控制MOSFET。相比现在采用标准分立器件的电路设计，DirectFET解决方案既能减少器件数量，也可将MOSFET所占印刷电路板面积缩小33%。
IR的DirectFET MOSFET封装具备一系列在标准分立塑封内前所未见的崭新设计优点。其“金属帽”结构可散去主机板的热量，消除热量对高级微处理器性能的严重威胁。
此外，DirectFET功率MOSFET藉采用崭新双面冷却设计，为驱动这些处理器的高频直流-直流降压转换器带来双倍电流处理能力，延展它们在高档台式计算机、膝上型计算机、路由器及服务器中的先进效能。
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