Zetex推出新型高电压MOSFET突破严苛电源启动环境

本文作者:admin       点击: 2006-02-14 00:00
前言:

模拟讯号处理及功率管理方案供货商Zetex Semiconductors推出一款可有效管理预偏置供应电路要求的新型高电压金氧半场效晶体管 (MOSFET)。

ZXMN0545G4是一款450V强化型N信道组件,可用于简单的线性调节器,在启动阶段能为可调式脉冲控制 (PWM) IC提供所需电压,并在转换器完全启动后关闭。与其它倚赖电阻器的解决方案相比,MOSFET的解决方案可有效改善系统效率,缩短启动时间。

Zetex亚洲区副总裁林博文指出,新型MOSFET采用特殊的四接脚SOT223封装技术,能让电阻达到最大的高压沿地效能。只需切断两个惯用汲极接脚位置中的其中一个,即可有效扩展接脚之间的距离,有助研发人员的设计符合UL及CE沿地距离规格。

新型MOSFET的电阻极低,最高仅达50Ω,还可支持高达140mA 的连续汲极电流和600mA的脉冲电流,提供高效率的功率处理效能。此外,组件的切换速度十分快速,启动及上升时间只需7毫微秒。