在纽伦堡举行的电子功率器件、智能传送、电源质量博览会（PCIM）上，英飞凌科技公司（FSE/NYSE: IFX）首次展出IHM/IHV B系列的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块。运用这个全新的模块，用户可设计出能够在严酷的环境下正常工作，全面满足大负荷与温度循环要求的高效功率变频器，如机车、列车和电车的牵引驱动装置等。全新模块扩展了英飞凌上一代IHM-A模块的功能和规格，实现了热阻性能的改善和负荷循环能力的提高，并将运行温度提高至+150°C。
与同等尺寸的传统变频器相比，基于这种全新高功率模块设计的变频器的功率可提高50%。同时，因为IHM/IHV B模块优良的热性能，运用他设计的变频器的输出电流在典型的工矿下可以使得输出电流的能力提高50% ，例如，3,300V模块的额定电流从1,200A升至1,500A，增幅高达25%。这种全新模块的最大运行温度也从先前+125°C上升至+150°C。英飞凌还将这种模块的最小贮存温度从先前-40°C降低至-55°C。
英飞凌已经交付了100多万套IHM-A模块，市场份额高达30%左右。IHM/IHV B模块与成熟IHM-A系列产品完全兼容，能够让用户在不改变产品结构的情况下，进行更新换代。
“IHM-A模块的推出，改写了高功率模块的行业标准，”英飞凌科技工业功率电子产品主管Martin Hierholzer说，“而IHM/IHV B系列功率模块则再次改写了高功率模块的额定电流、功率循环能力及可靠性基准。同时，我们的客户还将受益于该系列模块与先前IHM-A模块家族的机械兼容性。”
除改进热阻性能外，全新模块还可满足一些要求非常苛刻的应用对耐用性与可靠性的要求，如列车或电车的牵引驱动装置等。在启动与停止阶段，这些牵引驱动装置的温度有很大的波动。为了满足牵引驱动设备的性能需求，英飞凌为IHM/IHV B设计了铝碳化硅（ALSiC）基板。与相关联的隔离陶瓷结合使用，铝碳化硅基板可将热循环能力提高10倍。对于其他温度变化幅度较小的应用，如工业传动、风能发电和电梯等，英飞凌将提供使用铜基板的IHM/IHV B模块变体。
IHM/IHV B模块的电流能够做到3,600 A以上，电压级别包括：1,200 V、1,700 V和3,300 V。1,200 V模块中使用的晶体管基于全新英飞凌IGBT4技术。1,700 V和3,300 V模块中的晶体管使用基于英飞凌TrenchStop®/电场截止工艺的IGBT3技术，与先前的模块相比，大幅度削减了正向导通电压。例如3,300 V FZ1500R33HL3模块的正向导通电压为2.5V，比相当的KF2C模块（4.3V）低40%左右。
这些新型模块符合RoHS要求，并满足NFF16-101和16-102的防火要求。它们都在德国Warstein生产，IGBT和二极管芯片在奥地利菲拉赫制造。
供货情况
额定电流为1,500A的两款3,300V IHM/IHV B模块——FZ1500R33HL3（带有IGBT3家族的软性IGBT） 和FZ1500R33HE3 （运用高速IGBT3 芯片），现已开始提供样片。批量生产预计于2006年第三季度开始。
如欲了解关于IHM/IHV B模块的更多信息，敬请登录www.infineon.com/power。
与同等尺寸的传统变频器相比，基于这种全新高功率模块设计的变频器的功率可提高50%。同时，因为IHM/IHV B模块优良的热性能，运用他设计的变频器的输出电流在典型的工矿下可以使得输出电流的能力提高50% ，例如，3,300V模块的额定电流从1,200A升至1,500A，增幅高达25%。这种全新模块的最大运行温度也从先前+125°C上升至+150°C。英飞凌还将这种模块的最小贮存温度从先前-40°C降低至-55°C。
英飞凌已经交付了100多万套IHM-A模块，市场份额高达30%左右。IHM/IHV B模块与成熟IHM-A系列产品完全兼容，能够让用户在不改变产品结构的情况下，进行更新换代。
“IHM-A模块的推出，改写了高功率模块的行业标准，”英飞凌科技工业功率电子产品主管Martin Hierholzer说，“而IHM/IHV B系列功率模块则再次改写了高功率模块的额定电流、功率循环能力及可靠性基准。同时，我们的客户还将受益于该系列模块与先前IHM-A模块家族的机械兼容性。”
除改进热阻性能外，全新模块还可满足一些要求非常苛刻的应用对耐用性与可靠性的要求，如列车或电车的牵引驱动装置等。在启动与停止阶段，这些牵引驱动装置的温度有很大的波动。为了满足牵引驱动设备的性能需求，英飞凌为IHM/IHV B设计了铝碳化硅（ALSiC）基板。与相关联的隔离陶瓷结合使用，铝碳化硅基板可将热循环能力提高10倍。对于其他温度变化幅度较小的应用，如工业传动、风能发电和电梯等，英飞凌将提供使用铜基板的IHM/IHV B模块变体。
IHM/IHV B模块的电流能够做到3,600 A以上，电压级别包括：1,200 V、1,700 V和3,300 V。1,200 V模块中使用的晶体管基于全新英飞凌IGBT4技术。1,700 V和3,300 V模块中的晶体管使用基于英飞凌TrenchStop®/电场截止工艺的IGBT3技术，与先前的模块相比，大幅度削减了正向导通电压。例如3,300 V FZ1500R33HL3模块的正向导通电压为2.5V，比相当的KF2C模块（4.3V）低40%左右。
这些新型模块符合RoHS要求，并满足NFF16-101和16-102的防火要求。它们都在德国Warstein生产，IGBT和二极管芯片在奥地利菲拉赫制造。
供货情况
额定电流为1,500A的两款3,300V IHM/IHV B模块——FZ1500R33HL3（带有IGBT3家族的软性IGBT） 和FZ1500R33HE3 （运用高速IGBT3 芯片），现已开始提供样片。批量生产预计于2006年第三季度开始。
如欲了解关于IHM/IHV B模块的更多信息，敬请登录www.infineon.com/power。
