飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新QFET® 平面 MOSFET系列， 采用先进的专利技术，为多种设备提供最佳的工作性能，包括电源、PFC (功率因子校正) 设备、DC/DC转换器、等离子显示板 (PDP)、照明镇流器和机动控制装置。
全新C系列（FQxxNxxC）和V2系列（FQxxNxxV2）MOSFET通过降低导通电阻（RDS(on)）来减少导通损耗，并降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 以减少开关损耗，这些改进是从飞兆半导体专利DMOS技术与先进平面条状结构结合而来。通过采用先进的QFET工艺技术，飞兆半导体的平面MOSFET器件的性能因子（FOM）可比同类产品好出25%。
飞兆半导体市场总监Joon Rhee称：“与先前的产品相比，这些改进的QFET平面MOSFET具有更低的导通阻抗、更少的栅极电荷，以及在雪崩和整流模式下更高的雪崩能量密度。此外，改进QFET平面MOSFET的有效输出电容Coss更低，不仅简化了电源的硬开关电路设计，还可简化服务器/电信电源管理、PDP电源管理和UPS设备谐振模式开关的电路设计。”
为了提高成本效益，新的QFET系列产品采用标准表面贴装和通孔型封装（TO-92， TO-92L， TO-126）。这两款新型QFET MOSFET产品系列扩充了飞兆半导体的功率解决方案，包括PWM、LDO、整流器、电压基准，以及光耦合器。
全新C系列（FQxxNxxC）和V2系列（FQxxNxxV2）MOSFET通过降低导通电阻（RDS(on)）来减少导通损耗，并降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 以减少开关损耗，这些改进是从飞兆半导体专利DMOS技术与先进平面条状结构结合而来。通过采用先进的QFET工艺技术，飞兆半导体的平面MOSFET器件的性能因子（FOM）可比同类产品好出25%。
飞兆半导体市场总监Joon Rhee称：“与先前的产品相比，这些改进的QFET平面MOSFET具有更低的导通阻抗、更少的栅极电荷，以及在雪崩和整流模式下更高的雪崩能量密度。此外，改进QFET平面MOSFET的有效输出电容Coss更低，不仅简化了电源的硬开关电路设计，还可简化服务器/电信电源管理、PDP电源管理和UPS设备谐振模式开关的电路设计。”
为了提高成本效益，新的QFET系列产品采用标准表面贴装和通孔型封装（TO-92， TO-92L， TO-126）。这两款新型QFET MOSFET产品系列扩充了飞兆半导体的功率解决方案，包括PWM、LDO、整流器、电压基准，以及光耦合器。
