英特尔与美光科技公司试制成功业内首个50nm NAND 闪存设备样品
本文作者:admin
点击:
2006-08-07 00:00
前言:
美光科技公司(Micron Technology. Inc.)与英特尔公司宣布试制成功了业内首个基于行业领先的50nm工艺技术的 NAND 闪存,这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通过 IM 闪存技术公司(IM Flash Technologies)制造,该公司为美光科技公司与英特尔公司合资创办的研发制造企业。两家公司目前正在试制 4 Gb设备,计划 2007 年开始大规模生产多种容量密度的 50nm产品。
英特尔公司与美光科技公司将通过向 50nm工艺技术转移来满足对更高密度 NAND 闪存日益增长的需求,该产品可广泛用于计算和消费电子应用,如数字音乐播放器、移动存储及手持通信设备等。据行业调研预测,2006年 NAND 细分市场估计在 130亿~160亿美元,2010 年可增长到大约250亿至 300亿美元。
美光科技公司负责存储器业务的副总裁 Brian Shirley 表示,“美光科技公司于 2004 年涉足 NAND 业务,当时采用的是 90 纳米制程技术。在短短几年中,通过与英特尔公司的合作,我们现在随时准备推出基于尖端制程技术的领先产品。美光科技公司将继续致力于NAND业务,迅速向 50nm工艺技术过渡,不断开发更先进的工艺节点,从而推出更高密度的产品。”
英特尔公司副总裁兼闪存产品事业部总经理 Brian Harrison 说,“我们从开展 NAND 闪存业务起就一直保持着迅猛的发展势头。今年第一季度我们开始向客户发运产品,并且我们注意到在多种闪存密度上都有着很高的需求。通过与美光科技公司合作,我们随时准备向 50 纳米制程技术及今后更先进的制程技术过渡。”
今年 1 月,美光科技公司与英特尔公司共同创办了 IM 闪存技术公司(IMFT),为双方制造 NAND 闪存产品。自公司创办以来,IMFT 已大规模加强生产设备。美光科技公司目前通过它在博伊西的制造工厂为 IMFT 供应 NAND 闪存,而且美光科技公司位于弗吉尼亚州马纳萨斯的 300 毫米工厂将在今年晚些时候投入生产,届时将为 IMFT 供应 NAND。此外,归 IMFT 公司使用并作为其总部的犹他州 Lehi 工厂预计将于明年年初上线生产 NAND。
英特尔是全球最大的芯片制造商,同时也是计算机、网络和通信产品的领先厂商。如欲了解有关英特尔的更多信息,请访问:www.intel.com/pressroom。
美光科技公司是全球领先的先进半导体解决方案供应商之一。通过其全球范围的经营活动,美光科技公司制造并销售应用于尖端计算、消费、网络和移动产品的 DRAM、NAND 闪存、CMOS 图像传感器及其它半导体元件和存储器模块。美光科技公司的普通股在纽约证券交易所(NYSE)上市交易,股票代码 MU。欲了解美光科技公司的更多信息,请访问 www.micron.com。