Micron发 布 适 合 超 薄 型 及 平 板 型 电 脑 市 场 的 容 量 2Gb和 4Gb 的 新 款 低 待

本文作者:admin       点击: 2012-02-11 00:00
前言:
Micron( 纳 斯 达 克 股 票 代 码 : MU) 推 出 新 款 低 功 耗 DDR3系 列 产 品 以 延 伸 其 传 统 存 储 器 领 导 的 地 位 , 该 款 新 产 品 主 要 针 对 超 薄 型 和 平 板 型 电 脑 市 场 。 这 些 2Gb和 4Gb的 “DDR3Lm”解 决 方 案 着 重 解 决 可 延 长 电 池 寿 命 的 低 自 刷 新 功 耗 (IDD6) 问 题 , 同 时 又 保 证 其 具 有 PC DRAM的 高 性 能 和 高 性 价 比 。 

与 标 准 2Gb DDR3L 相 比 , 首 款 2Gb DDR3Lm将 节 省 高 达 50% 的 自 刷 新 功 耗 , 且 在 需 要 时 其 驱 动 性 能 可 达 1600 MT/s 。 Micron的 4Gb DDR3Lm产 品 也 具 有 与 2Gb器 件 同 样 优 异 的 功 耗 效 率 , 而 芯 片 数 目 的 减 少 使 其 非 常 适 用 于 超 薄 型 和 平 板 型 电 脑 客 户 。 2Gb和 4Gb DDR3Lm均 将 被 Micron的 30纳 米 (nm)系 列 采 用 以 便 进 一 步 优 化 功 耗 和 其 它 性 能 , 其 中 4Gb器 件 在 待 机 模 式 中 的 目 标 是 3.7mA IDD6 , 并 支 持 加 速 至 1866 MT/s。 

“在 高 速 成 长 的 超 薄 型 机 市 场 中 , 功 耗 的 降 低 日 益 成 为 非 常 重 要 的 问 题 。 Micron在 传 统 PC 机 存 储 器 方 面 的 技 术 使 这 些 市 场 能 达 到 最 高 的 性 能 目 标 、 获 得 最 优 的 性 价 比 ”, Micron 公 司 DRAM 营 销 副 总 裁 Robert Feurle说 。 “我 们 对 与 客 户 合 作 的 承 诺 以 及 专 注 于 引 领 DRAM技 术 的 策 略 已 证 明 是 完 全 成 功 的 , 该 款 30nm DRAM新 系 列 产 品 将 继 续 履 行 我 们 的 诺 言 ”。 

“随 着 计 算 移 动 性 的 日 益 增 强 , 电 池 寿 命 的 延 长 问 题 对 终 端 用 户 的 价 值 也 日 益 增 高 ”, Intel 高 级 存 储 经 理 Geof Findley说 。 “降 低 低 功 耗 存 储 器 的 待 机 功 耗 是 向 正 确 方 向 前 进 的 举 措 ”。 

Micron目 前 已 开 始 提 供 新 款 低 功 耗 产 品 DDR3Lm系 列 的 样 品 , 预 计 将 于 2012年 2季 度 开 始 30nm系 列 的 批 量 生 产 。 欲 知 关 于 DDR3Lm更 多 的 信 息 , 请 访 问 http://www.micron.com/products/dram/ddr3-sdram。; 
 
关 于 美 光 
美 光 科 技 公 司( Micron Technology, Inc.,) 是 全 球 领 先 的 先 进 半 导 体 解 决 方 案 供 应 商 之 一 。 通 过 它 遍 布 全 球 的 运 营 , 美 光 为 先 进 的 计 算 、 用 户 、 网 络 、 嵌 入 式 和 移 动 产 品 生 产 和 销 售 全 套 DRAM, NAND 和 NOR闪 存 , 以 及 其 他 创 新 的 存 储 器 技 术 、 封 装 方 案 和 半 导 体 系 统 。 美 光 的 普 通 股 在 纳 斯 达 克 上 市 交 易 , 代 码 是 MU。 欲 了 解 有 关 美 光 科 技 公 司 的 更 多 信 息 , 请 访 问 www.micron.com 。