Micron宣布正在对新一代16纳米（nm）工艺技术进行测试，该技术可支持行业最小的128Gb多层单元（MLC）NAND闪存设备。16纳米节点不仅是技术领先的闪存工艺，也是采样半导体设备最先进的处理节点。该技术巩固了Micron在存储技术开发领域的领导地位，也实现了公司提供最先进的半导体解决方案的远景。
Micron128Gb多层单元NAND闪存设备专为消费类固态硬盘、移动存储（U盘和闪存卡）、平板电脑、超薄设备、移动手机和数据中心云存储的应用而产生。新型128GbNAND闪存设备在现有的多层单元设备中平方毫米位宽最高、价格最低廉。此一新技术可在单一晶圆上创造几乎6TB的存储量。
MicronNAND解决方案事业副总裁GlenHawk说：“Micron的专门工程师团队不懈地致力于创造世上最小、最先进的闪存制造技术。我们的客户不断要求在更小的规格中容纳更高的容量，而新一代的工艺节点让Micron能够符合这些要求，占据领先市场的地位。”
根据Gartner研究顾问机构*：“成本削减对于NAND产业一直是至关重要的，所以在闪存工艺技术（特别是垂直整合解决方案方面）持续领先的公司将有望取得成功。”
Micron目前正在与合作伙伴共同测试16纳米的128Gb多层单元NAND闪存，计划于2013年第4季度进入量产。Micron也开发了基于上述设备的新系列固态硬盘（SSD）解决方案，16纳米闪存的固态硬盘预计于2014年出货。
Micron简介
MicronTechnology,Inc.是领导全球的先进半导体解决方案供应商。本公司将DRAM、NAND闪存和NOR闪存等重要的存储技术转变为创新的解决方案，包括固态硬盘（SSD）、存储设备、模块、多芯片封装和其他半导体系统。Micron在全球的业务运营包括设计、制造及营销这些解决方案，并将其应用于前沿的计算、消费类产品、企业服务器及存储、网络及嵌入式和移动产品。Micron普通股于NASDAQ纳斯达克股市交易，代码为MU。取得更多关于MicronTechnology,Inc.的信息，请访问：www.micron.com.
