希捷在2013日本高新技术博览会展示革新性的热辅

本文作者:希捷       点击: 2013-10-08 00:00
前言:

全球领先的存储解决方案提供商希捷科技(NASDAQ:STX)日前宣布在2013日本高新技术博览会上展示了其新一代热辅助磁记录技术(HAMR)。希捷的革命性热辅助磁记录技术跨越了磁记录的极限,同时将推进在2020年之前实现20TB硬盘的进程。

希捷首席技术官Mark Re表示:“全球每年正在不断创建惊人的数据,而这些数据都需要存储。我们即将达到目前存储技术的极限,而通过HAMR技术,希捷能够继续提升面密度,生产出每GB成本最低的硬盘,并且在2020年之前实现存储容量达到20TB的硬盘。

希捷不久前推出了业界领先的叠瓦式磁记录存储技术(SMR),同时,借助热辅助磁记录技术,希捷将继续提升存储容量的极限,以满足全球云及移动应用所需的数据存储需求。HAMR技术通过将激光光束精确地聚焦在数据将被写入的区域,加热介质,从而提升面密度和存储容量。受热时,介质更加易于写入数据,写入之后迅速冷却,从而稳固写入的数据。这种热辅助纪录技术可以显著提升写入的密度。

HAMR技术与铁铂粒子组成的自排列磁阵列组合在一起,有望将磁记录的存储极限提高100倍,最终实现每平方英寸高达50Tb的存储密度。从另一个角度看,一个可以存储全世界所有图书的数字图书馆的容量约为400TB— 这意味着在不久的将来,仅使用20块应用了HAMR技术的硬盘就可以存储全世界的图书。希捷新一代HAMR技术将应用在希捷企业级2.5英寸10K超能盘中。针对企业应用设计的HAMR硬盘非常适合刀片式服务器的运行环境。

2013日本高新技术博览会于2013年10月1日(周二)至10月5日(周六)在东京的幕张国际展览中心举行。在展会期间,希捷在TDK展位(1-3号厅)展示了HAMR技术。

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