2013年8月16日于加州圣克拉拉（GLOBENEWSWIRE）--MicronTechnology,Inc.（Nasdaq代码：MU）今日宣布可支持行业最小的128Gb多层单元（MLC）NAND闪存设备的新一代16纳米（nm）制程技术在闪存峰会上荣获2013年最佳创新闪存技术类最佳会展奖。行业通过选拔年度最佳会展奖来表扬创新的产品和解决方案，以及它们在市场上的应用。
Micron128Gb多层单元（MLC）NAND闪存设备专门为消费类固态硬盘、移动存储（U盘和闪存卡）、平板电脑、超薄设备、移动手机和数据中心云存储而产生。在现有的多层单元设备中提供最高平方毫米位宽、最低廉价格。此一新技术可在单一晶圆上创造几乎6TB的存储量。
MicronNAND解决方案事业副总裁GlenHawk说：“很高兴看到这次对于我们在闪存技术上的最新研发得到肯定。16纳米(nm)NAND制程让我们在世上最小的128Gb多层单元设备领域的也能取得领导地位。这是既经济又对资本有利的技术，从今年至明年势态持续看好。”
峰会得奖产品是通过由行业专家组成的评审团评审提名产品后产生，评审标准如下：
--应用、技术或产品的独特性
--以闪存为主要用途的解决方案或创新
--在一般市场上的技术和商业重要性
峰会评奖主席及NetworkStorageAdvisors,Inc.总裁JayKramer说：“要从诸多杰出的候选项目中选出最创新的闪存技术，对闪存峰会评奖委员会的评审们而言是项非常具有挑战性的任务。”并说：“行业在半导体技术方面的进步对于提高闪存技术标准具有极大的价值，我们很荣幸能够把会展最佳创新奖颁发给Micron支持128Gb多层单元设备的16纳米NAND技术。”
Micron在8月14日星期三于展示厅举办的闪存峰会颁奖晚宴上获颁此一殊荣。
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Micron简介
MicronTechnology,Inc.是领导全球的先进半导体解决方案供应商。通过全球化的运营，Micron公司制造并向市场推出DRAM、NAND和NOR闪存、其他创新存储技术、封装解决方案和半导体系统，用于前沿计算、消费品、网络、嵌入和移动便携产品。Micron普通股于NASDAQ纳斯达克股市交易，代码为MU。取得更多关于MicronTechnology,Inc.的信息，请访问：www.micron.com.
关于闪存峰会（FlashMemorySummit）
闪存峰会是唯一专为闪存技术及其应用而举办的会议。专供系统设计师、技术和财务分析师、IT专业人员、硬件和软件工程师、产品营销和公关专员以及工程及营销经理人员参与。会场举办论坛、半日讲习班、论文和专家小组讲座及专家座谈。内容囊括一系列与消费电子及数据中心相关主题，包括企业存储系统应用、消费移动产品、个人电脑/服务器、产品设计、缓存方法、存储软件、闪存相关新技术、闪存市场研究、闪存测试及安全。峰会也举办最新产品展示并选拔获奖产品。了解更多信息请访问：www.flashmemorysummit.com.Twitter:flashmem.Facebook:http://www.facebook.com/pages/Flash-Memory-Summit/72498807894.
关于ConferenceConCepts,Inc.
ConferenceConCepts,Inc.创立于1994年，是一家全服务的专业会议及协会管理公司，提供与技术会议管理相关的各种服务。ConferenceConCepts公司举办自行开发制作的会议，也与协会、企业和出版商合作办会。本公司的员工及外包专业人员的技术共计累积相当于200年的经验，让ConferenceConCepts公司能提供客户从会展办理的单一方面协助到会议全面开发管理的各种服务选项。取得更多关于ConferenceConCepts公司的信息，请访问：http://www.confconcepts.com.
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