256M DDR 恐下探2美元
<br>256M DDR自今年初6美元下滑至3美元不到，肇因于12吋厂计划逐渐明朗，尔必达(Elpida)获得Intel资金支持，Hynix获得债权银行支持，提出新的12吋DRAM厂建厂计划，加上三星、英飞凌、南亚科与力晶、茂德等12吋厂，可说是全球DRAM供应有增无减，DRAM厂间为争取市场占有率，加速导入新制程时间，扩大十二吋厂量产规模，所以DRAM产出会持续成长，然因市场需求疲弱不振，需求成长幅度追不上供给量增加速度的情况下，256M DDR可能更进一步下探。
<br>策略：业者因应态度
<br>亏损连连的Hynix除了持续投资DRAM外，并开发非挥发性内存，日前已成功开发出次世代行动通讯用与系统单芯片（SoC）用铁电内存（FeRAM）商品化技术。此外，Hynix最近表示，已开发出NAND型闪存，因此，将正式进军目前由三星及东芝寡占的NAND型闪存市场，预计2003年下半可望量产第一颗1GB产品，并决定将利川厂部分DRAM生产线，转产闪存，以扩充产能。
<br>Infineon与Saifun合作投资Infineon Flash，进军闪存市场。预期该合资公司将借用英飞凌8吋与12吋晶圆厂生产线，开发主力产品锁定NAND型与NOR型闪存。
<br>美光除了致力微缩制程和减少10%的人力以达到实质上樽节成本外，另外也开发高阶网络设备使用的 CAM以及0.18微米制程的CMOS Image Senser。
<br>南亚科则进军绘图芯片用DDR400颗粒、笔记型计算机（NB）用SO-DIMM模块与SDRAM。南亚科策略在于往高价产品市场发展，由于SDRAM颗粒缺乏继续投产的厂商，使得SDRAM颗粒价格较不受DRAM景气走弱影响。
<br>Intel的态度：
<br>从1995年全球前三大DRAM供货商占不到40%市场，但2002年前三大占将近三分之二的市场，DRAM市场越来越集中在领导厂商。近来Intel投资尔必达（Elpida）扩充DRAM产能，使得全球DRAM产业未来可免于1家或2家独大的状况，价格亦不易被操控。但可能将使得DRAM竞争更激烈，价格竞争越激烈，造成价格跌得更快，有助于其CPU销售状况。而台湾DRAM业者也因为与尔必达结盟，获得DRAM技术来源、贡献产能而得利。
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<br>DRAM产业因跨入门坎相对较低，只要资金充裕便能进入，遂使各DRAM厂纷扩大生产规模，DRAM原厂为确保未来在DRAM产业中的竞争优势，非但不降低产能，反而全面扩产，将竞争对手击倒。
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<br>Elpida与力晶签订合作协定
<br>Renesas将接手三菱原先1席的力晶董事
<br> 日本三菱电机2002年第三季将旗下DRAM部门正式售予尔必达（Elpida）后，力晶也因与三菱的渊源，顺势承接尔必达代工订单，与尔必达签约内容包含2项重要合约，由于三菱将技转力晶至0.13微米制程为止，因此尔必达将自下一世代0.11微米制程开始技转力晶，这是其一，其二为未来力晶每月将自12吋厂至少提拨30％产能给尔必达，如需更多产能的话，同样可弹性自由增加。三月起将开始采购力晶运用三菱0.15微米与0.13微米所生产的标准型DRAM产品，并继续移转0.1微米与0.09微米技术予力晶，明年中则开始向力晶采购运用0.1微米制程生产的DRAM产品，至于90奈米技术则将在2005年开始导入。这份技术授权与产销合约神似于Infineon与茂德间关系，而公司关系只差别于Elpida并未投资力晶罢了。另外，值得玩味的是，Elpida与茂德的合作如何进行，方不至于伤了Elpida与力晶的关系。
<br>由于力晶部分制造技术来自三菱，也使力晶承接日系半导体厂的代工实力优于其它同业，更因长久与日系厂商保持密切合作关系，因而更有助争取其旗下8吋厂的晶圆代工业务。三菱原本占力晶的一席董事，将会转移给5月新成立的、由三菱与日立合资成立的Renesas公司。因此未来力晶8吋厂产能，将因Renesas的订单而无虞去化问题，不必再花费心思寻找订单填补8吋厂产能。
<br>DRAM厂的力晶，在日系半导体的版图重整之后，可说是发展出更为稳健的经营模式。力晶在日系大厂加持下，可以『左拥Elpida、右抱Renesas』来形容。除了兴建12吋DRAM厂外，并取得高阶制程的技术来源，延续DRAM产品线，并使得DRAM有稳定的技术及订单来源；使原本从生产DRAM的八吋厂逐渐转而代工产品，与三菱密切合作的日系色彩，相对其他代工业者，打入日本市场相对容易多了，更何况三菱与Renesas都是潜在客户，晶圆代工成为力晶相对稳定的获利来源，相信以现在力晶的经营策略，不会再因DRAM市场起伏而亏损，而会有更加稳健的获利空间。
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<br>256M DDR自今年初6美元下滑至3美元不到，肇因于12吋厂计划逐渐明朗，尔必达(Elpida)获得Intel资金支持，Hynix获得债权银行支持，提出新的12吋DRAM厂建厂计划，加上三星、英飞凌、南亚科与力晶、茂德等12吋厂，可说是全球DRAM供应有增无减，DRAM厂间为争取市场占有率，加速导入新制程时间，扩大十二吋厂量产规模，所以DRAM产出会持续成长，然因市场需求疲弱不振，需求成长幅度追不上供给量增加速度的情况下，256M DDR可能更进一步下探。
<br>策略：业者因应态度
<br>亏损连连的Hynix除了持续投资DRAM外，并开发非挥发性内存，日前已成功开发出次世代行动通讯用与系统单芯片（SoC）用铁电内存（FeRAM）商品化技术。此外，Hynix最近表示，已开发出NAND型闪存，因此，将正式进军目前由三星及东芝寡占的NAND型闪存市场，预计2003年下半可望量产第一颗1GB产品，并决定将利川厂部分DRAM生产线，转产闪存，以扩充产能。
<br>Infineon与Saifun合作投资Infineon Flash，进军闪存市场。预期该合资公司将借用英飞凌8吋与12吋晶圆厂生产线，开发主力产品锁定NAND型与NOR型闪存。
<br>美光除了致力微缩制程和减少10%的人力以达到实质上樽节成本外，另外也开发高阶网络设备使用的 CAM以及0.18微米制程的CMOS Image Senser。
<br>南亚科则进军绘图芯片用DDR400颗粒、笔记型计算机（NB）用SO-DIMM模块与SDRAM。南亚科策略在于往高价产品市场发展，由于SDRAM颗粒缺乏继续投产的厂商，使得SDRAM颗粒价格较不受DRAM景气走弱影响。
<br>Intel的态度：
<br>从1995年全球前三大DRAM供货商占不到40%市场，但2002年前三大占将近三分之二的市场，DRAM市场越来越集中在领导厂商。近来Intel投资尔必达（Elpida）扩充DRAM产能，使得全球DRAM产业未来可免于1家或2家独大的状况，价格亦不易被操控。但可能将使得DRAM竞争更激烈，价格竞争越激烈，造成价格跌得更快，有助于其CPU销售状况。而台湾DRAM业者也因为与尔必达结盟，获得DRAM技术来源、贡献产能而得利。
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<br>DRAM产业因跨入门坎相对较低，只要资金充裕便能进入，遂使各DRAM厂纷扩大生产规模，DRAM原厂为确保未来在DRAM产业中的竞争优势，非但不降低产能，反而全面扩产，将竞争对手击倒。
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<br>Elpida与力晶签订合作协定
<br>Renesas将接手三菱原先1席的力晶董事
<br> 日本三菱电机2002年第三季将旗下DRAM部门正式售予尔必达（Elpida）后，力晶也因与三菱的渊源，顺势承接尔必达代工订单，与尔必达签约内容包含2项重要合约，由于三菱将技转力晶至0.13微米制程为止，因此尔必达将自下一世代0.11微米制程开始技转力晶，这是其一，其二为未来力晶每月将自12吋厂至少提拨30％产能给尔必达，如需更多产能的话，同样可弹性自由增加。三月起将开始采购力晶运用三菱0.15微米与0.13微米所生产的标准型DRAM产品，并继续移转0.1微米与0.09微米技术予力晶，明年中则开始向力晶采购运用0.1微米制程生产的DRAM产品，至于90奈米技术则将在2005年开始导入。这份技术授权与产销合约神似于Infineon与茂德间关系，而公司关系只差别于Elpida并未投资力晶罢了。另外，值得玩味的是，Elpida与茂德的合作如何进行，方不至于伤了Elpida与力晶的关系。
<br>由于力晶部分制造技术来自三菱，也使力晶承接日系半导体厂的代工实力优于其它同业，更因长久与日系厂商保持密切合作关系，因而更有助争取其旗下8吋厂的晶圆代工业务。三菱原本占力晶的一席董事，将会转移给5月新成立的、由三菱与日立合资成立的Renesas公司。因此未来力晶8吋厂产能，将因Renesas的订单而无虞去化问题，不必再花费心思寻找订单填补8吋厂产能。
<br>DRAM厂的力晶，在日系半导体的版图重整之后，可说是发展出更为稳健的经营模式。力晶在日系大厂加持下，可以『左拥Elpida、右抱Renesas』来形容。除了兴建12吋DRAM厂外，并取得高阶制程的技术来源，延续DRAM产品线，并使得DRAM有稳定的技术及订单来源；使原本从生产DRAM的八吋厂逐渐转而代工产品，与三菱密切合作的日系色彩，相对其他代工业者，打入日本市场相对容易多了，更何况三菱与Renesas都是潜在客户，晶圆代工成为力晶相对稳定的获利来源，相信以现在力晶的经营策略，不会再因DRAM市场起伏而亏损，而会有更加稳健的获利空间。
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