IDT 低频段 RF 混频器通过在拥挤频谱中为 4G LTE、3G 和 2G 系统减少互调失真增强移动体验

拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已新推出低频段 RF 混频器，该混频器可通过在拥挤频谱中为 4G LTE、3G 和 2G 系统减少互调失真增强用户的移动连接体验。IDT 新的 Zero-Distortion™ 基站收发信机（BTS）多样混频器可通过减少功耗改进系统三阶互调失真（IM3），针对移动通信（EGSM）频率范围涵盖 450 MHz、长期演进（LTE）和扩展的全球系统。

IDT F1102 是一款低功耗、低失真的双通道 400-1000 MHz RF 变频到IF 混频器，与标准混频器相比，可改进 IM3 超过 15 dB，同时减少功耗超过 40%。这些性能品质可为改进服务品质（QoS）实现更好的信噪比（SNR），同时减少散热，从而在密集的射频卡密封中降低散热要求（5V 时 1.15W，高达 +43 dBm IP3O）。F1102 可提供无与伦比的性能与效率，是多载波、多模式4G LTE 和 EGSM BTS 系统的理想选择。

IDT 公司副总裁兼通信部总经理 Tom Sparkman 表示：“在发现我们高频段和低频段混频器优异的性能之后，客户开始需要这款产品。我们的零失真技术可帮助客户增加射频卡的前端增益以改进 SNR，同时在拥挤的 EGSM 和 U.S. 蜂窝频段中减少失真。凭借我们广泛的高性能、低功耗可变增益放大器（VGA）产品组合，业界领先的计时、串行交换、数据转换和数据压缩产品，IDT 成为通信信号链解决方案的一站式提供商。”

F1102 与 IDT 其他混频器产品系列一起，可在上电与下电模式下提供快速的建立时间和恒定的本机振荡器（LO）输入阻抗。这允许客户在时分双工（TDD）接收机插槽间关闭混频器，从而进一步降低功耗。此外，IDTF1102 可支持高本振或低本振注入方式，与市场上现有器件管脚相容，从而提供令人信服的升级选择。

供货
IDT F1102 目前正向合格客户提供样品，提供 6x6 毫米 36 引脚 QFN 封装。欲了解 IDT RF 信号通道解决方案的更多信息，请访问：www.idt.com/go/RF。

关于 IDT 公司
IDT 公司拥有模拟和数字领域的优势技术，并且运用这些模拟和数字优势技术为广大终端用户提供了大量优化的、丰富的、创新性的系统级解决方案。IDT 在计时、串行交换电路和传输接口电路方面位于全球市场的领先地位。在通信、计算和消费芯片市场，IDT 发挥出模拟和系统设计的专长，为客户提供了各种应用广泛、性能优化的混合信号解决方案。IDT 公司总部位于美国加利福尼亚州圣荷塞，在全球各地设有设计中心、生产基地和销售机构。IDT 股票在纳斯达克全球精选股票市场上市，代号为“IDTI”。欲了解更多 IDT 详情，敬请登陆 http://www.idt.com/china/