KLA-Tencor (NASDAQ: KLAC) 于近日发表其第三代的磁性度量系统 － MRW3™，可供应硬盘机 (HDD) 以及半导体内存市场。 MRW3 是以领先市场的 MRW200 平台为架构，能够测量产品晶圆中 HDD 读写头以及磁电阻式随机存取内存 (MRAM) 的磁性质，以利生产控制并可尽早侦测到对于良率有不利影响的制程问题。 MRW3 利用了专利的封闭环磁系统 (closed-loop magnet system)，提供了绝佳的磁场重复性 (低于 0.1 厄斯特)，但是却不会牺牲其效能优势，每个电阻/磁场转换曲线比低于 1 秒。 此外，MRW3 也引进了例如 GEM/SECS 工厂自动化的特色，高可靠性 (1000 小时 MTBF) 与 200 与 300毫米的双重配置，使其成为现今市场中第一个 “fab-ready” (可立即用于晶圆厂) 的准静态检验系统。 MRW3 系统已经在全球领先的某家半导体制造公司中完成了大量的测试评估。
先进的 HDD 读写头以及 MRAM 在其核心技术中使用磁性穿隧接合，是下一代非挥发性固态内存的领先选择。 MRW3 系统整合了特别的功能以加速此一重要新技术的开发，包括定压电子和位切换测试。 根据在磁性穿隧接合(magnetic tunnel junctions)研究领域中首屈一指的 Janusz Nowak 研究员指出：「KLA-Tencor MRW3 提供了一项极为重要的测量能力，可使用磁性穿隧接合加速装置的开发与生产。」
「资料储存的需求近来加速增加，大半是由于消费者电子产品的原因。」KLA-Tencor 成长与新兴市场部门的副总裁与总经理 Jeff Donnelly 表示： 「为了迎合这种需求，我们的资料储存与半导体客户已针对先进的磁性装置开发进行投资。 MRW3 的设计理念便是要协助我们的客户加速其开发过程，并且缩短转换为大量生产之前的过渡时间。」
KLA-Tencor 目前已接受 MRW3 的订单。预计在本月份开始出货。
先进的 HDD 读写头以及 MRAM 在其核心技术中使用磁性穿隧接合，是下一代非挥发性固态内存的领先选择。 MRW3 系统整合了特别的功能以加速此一重要新技术的开发，包括定压电子和位切换测试。 根据在磁性穿隧接合(magnetic tunnel junctions)研究领域中首屈一指的 Janusz Nowak 研究员指出：「KLA-Tencor MRW3 提供了一项极为重要的测量能力，可使用磁性穿隧接合加速装置的开发与生产。」
「资料储存的需求近来加速增加，大半是由于消费者电子产品的原因。」KLA-Tencor 成长与新兴市场部门的副总裁与总经理 Jeff Donnelly 表示： 「为了迎合这种需求，我们的资料储存与半导体客户已针对先进的磁性装置开发进行投资。 MRW3 的设计理念便是要协助我们的客户加速其开发过程，并且缩短转换为大量生产之前的过渡时间。」
KLA-Tencor 目前已接受 MRW3 的订单。预计在本月份开始出货。
