意法半导体(ST)650V碳化硅二极管具有独一无二的双管配置,可提高安全性、能效并节省空间

本文作者:意法半导体       点击: 2014-01-17 14:30
前言:
    中国,2013年1月16日 ——意法半导体的新双管配置碳化硅(SiC)肖特基二极管是市场上同类产品中首款每只管子额定电压650V且共阴极或串联配置的整流二极管,可用于交错式或无桥型功率因数校正(PFC)电路。
磁化硅产品的能效和耐用性高于传统的二极管,意法半导体在碳化硅功率半导体技术创新方面居世界领先水平,STPSC6/8/10TH13TI和 STPSC8/12/16/20H065C器件[ 平均电流最大额定值分别为6A、8A、10A和8A、12A、16A、20A。]兼备碳化硅的高性能与双二极管的节省空间和降低EMI干扰的双重优点。交错式或无桥型PFC拓扑可提高服务器电源、电信设备电源、太阳能逆变器、电动汽车充电站等设备的能效,而这两个系列产品是交错式或无桥型PFC的理想选择。
这些业内独一无二的二极管在关断状态下反向恢复时间很短,解决了电能损耗问题,从而能够优化开关能效。而且650V额定电压提高了安全系数,对具有危害性的反向峰值电压具有防护作用。此外,STPSCxxTH13TI产品内置的陶瓷隔离层,有助于简化管子与外部散热器的连接,也可以不用外部隔离层。
STPSC6TH13TI至STPSC10TH13TI(串联配置隔离型TO-220AB封装)和STPSC8H065C至STPSC20H065C (共阴极标准TO-220AB封装)已经上市。STPSC20H065C还提供TO-247封装。
详情请访问www.st.com/sicdiodes
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