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IR 推出采用4×5 PQFN功率模块封装的25V IRFH4257D FastIRFET双功率MOSFET为DC-DC

本文作者：IR 点击： 2014-12-16 15:45

前言：

2014年12月16日--全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。这项新的封装拓展了IR的功率模块系列的功能，使其可用于更低功率的紧凑型设计，适合12V输入DC-DC同步降压应用，包括先进的电信和网络通信设备、服务器、显示适配器、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 及笔记本电脑等应用。

IRFH4257D采用IR的新一代硅技术和封装专利技术，以紧凑的4×5功率模块提供卓越的热性能、低导通电阻 (RDS(on)) 和栅极电荷 (Qg) ，带来一流的功率密度和更低的开关损耗。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“与IR的其它FastIRFET器件一样，IRFH4257D可与各种控制器或驱动器共同操作，为单相位或多相位应用提供灵活的设计，同时实现更高的电流、效率和频率。随着 IRFH4257D加入IR的功率模块系列，设计师可选择能满足其设计要求的 4×5或5×6 PQFN封装。”

IRFH4257D符合工业级标准和第一级湿度敏感度 (MSL1) 标准，所采用的物料清单环保、不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

规格

器件

PQFN

封装尺寸

电流

额定值

4.5V下的典型/

最大导通电阻

4.5V下的典型Q_G (nC)

4.5V下的典型Q_GD (nC)

IRFH4257D

4x5

25A

3.7 / 4.6

1.65 / 2.1

3.4

7.6

产品现正接受批量订单。相关数据请浏览IR网站www.irf.com。

IR简介

国际整流器公司（简称 IR，纽约证交所代号 IRF）是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗（电机是全球最大耗能设备），是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR 成立于 1947 年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR 全球网站：www.irf.com，中国网站：www.irf.com.cn。

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