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赛普拉斯为其领先业界的F-RAM和nvSRAM产品组合提供晶圆销售支持
前言：
为需要采取特殊封装的非易失性存储器的关键任务应用带来更大的灵活性
2016年1月21日--赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票交易代码：CY）宣布其领先业界的非易失性随机存取存储器（(NVRAM）产品组合新增晶圆产品。赛普拉斯的NVRAM产品组合包括铁电RAM（F-RAM™）和非易失性静态RAM(nvSRAM)，可在断电时为重要数据提供可靠保护。很多关键任务应用除了需要F-RAM和nvSRAM的独特优势之外，还需要能够实现小巧、独特封装选项的裸片。有关赛普拉斯的NVRAM产品组合的更多信息，敬请访问：http://www.cypress.com/nonvolatile。
赛普拉斯的F-RAM是业内能效最高的NVRAM技术，具有近乎无限的100万亿次读写耐久性。F-RAM 存储单元中的铁电材料可抵御由辐射或磁场导致的数据损坏，因此可为医疗、航天和国防应用提供软错误免疫能力。赛普拉斯的nvSRAM是业内速度最快的NVRAM技术，存取时间低至20 ns。它具有非易失性数据保留功能，而且不需要额外的电池，同时提供无限的耐久性。
赛普拉斯非易失性产品事业部高级主管Sonal Chandrasekharan表示：“为NVRAM产品组合提供晶圆销售进一步满足了客户的广泛需求，客户现在可以在满足具体应用的封装规格的同时，充分利用nvSRAM的高性能或F-RAM的高能效优势。”
关于赛普拉斯的F-RAM
赛普拉斯提供丰富的F-RAM产品线，容量涵盖4Kb至4Mb，电压范围是2.0至5.5伏。赛普拉斯的F-RAM具有近乎无限的100万亿次读写寿命，因而理想适合于写操作密集的应用。F-RAM是业界能效最高的非易失性RAM解决方案；F-RAM单元具有与生俱来的低功耗特点，无需充电泵即可工作。赛普拉斯的F-RAM对于需要高性能、高可靠性、低成本非易失性存储器的应用来说，是非常理想的选择。这些应用包括汽车、工业、计算、网络、智能仪表以及多功能打印机。
关于赛普拉斯的nvSRAM
赛普拉斯的nvSRAM系采用存储在外部电容器中的电荷，而非电池，从而使这一器件适合于标准的PCB流水线生产。赛普拉斯的nvSRAM符合ROHS标准，可以直接替代SRAM和依靠电池供电的SRAM（BBSRAM）产品，提供快速非易失性数据存储能力。当发生断电的时候，数据可自动从SRAM传输到非易失性单元中。加电之后，数据可从非易失性存储器中恢复至SRAM。在网络、工业、计算和RAID应用中，nvSRAM提供了高速数据传输性能，并在断电的时候，无需电池即可保证数据的完整性。
供货情况
即日起，赛普拉斯可为特定客户的256Kb-4Mb容量F-RAM和1Mb-16Mb容量nvSRAM提供晶圆产品支持。有关晶圆支持的更多信息，请访问：www.cypress.com/products/f-ram-and-nvsram-wafer-and-die-support。赛普拉斯也可为感兴趣的客户提供针对其它非易失性RAM产品的晶圆支持。如有关于晶圆支持的问题，您可以向此邮箱发送邮件提问：nvramwafersupport@cypress.com。
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关于赛普拉斯
赛普拉斯（纳斯达克股票代码：CY）为当今最先进的嵌入式系统提供核心的高性能、高品质解决方案，应用于从汽车、工业和网络平台到高交互性的消费和移动设备的广泛领域。我们拥有丰富的差异化产品线，包括：NOR 闪存、F-RAM™ 和 SRAM、Traveo™微控制器、业界唯一的PSoC®可编程片上系统解决方案、模拟和PMIC电源管理芯片、CapSense®电容式触摸感应控制器，无线BLE低功耗蓝牙以及USB连接解决方案。赛普拉斯致力于为全球客户持续提供具有创新性的、业界最佳的支持和卓越的系统价值。欲了解更多信息，请访问：www.cypress.com。
