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IDT存储器接口器件获得基于英特尔至强处理器E5-2600 V4产品系列系统的DDR4企业级DIMM认证
前言：
IDT最新的芯片组扩展了公司在DDR4性能、延迟和功率优化方面的领先优势
2016年5月3日--IDT公司（IDT®）（NASDAQ：IDTI）今天宣布其4RCD0124K寄存器、4DB0226KA3数据缓冲器以及TSE2004温度传感器组件已经完全通过英特尔（Intel）、戴尔（Dell）和美光科技（Micron）等存储器生态系统领导厂商的认证，可适用于基于英特尔至强（Intel® Xeon®）处理器E5-2600 V4系列产品的服务器和存储系统DIMM（双列直插式存储模块）应用。
IDT公司存储器接口产品事业部副总裁兼总经理Rami Sethi介绍说：“IDT公司的头号使命（Mission＃1）是通过解决信号完整性、容量扩展、故障隔离和纠正等方面所面临的深刻挑战，进一步推动存储性能和容量的提升。我们已经与戴尔、英特尔和美光等行业领先企业密切合作，在基于英特尔至强处理器E5-2600 V4产品系列的OEM系统DIMM应用中验证和认证我们的组件。验证结果是得到巨大的性能提升，可以使实时数据分析、在线交易处理和工作负载虚拟化等范围广泛的终端用户应用受益。”
英特尔数据中心事业部产品市场总监Jennifer Huffstetler评论道：“英特尔和IDT在JEDEC规范和产品认证等方面有着广泛的战略性合约和近期合作。英特尔一直与IDT紧密合作并采用英特尔至强处理器E5 V4系列产品来验证和认证IDT的寄存器、数据缓冲器和温度传感器组件，以便能够为我们的OEM客户提供更出色的存储器性能。”
IDT公司的寄存器组件可以使基于寄存式DIMM（RDIMM）的系统实现业界领先的每瓦性能。IDT的数据缓冲器在与寄存器一起使用时，如果完全插满128GB / 64GB / 32GB LRDIMM（低负载DIMM），可以实现高达3TB的存储器容量。此外，IDT的数据缓冲器可以驱动LRDIMM应用，以便在完全插满系统实现最高的存储器带宽（GB /s）。IDT芯片组采用了创新的功能，可以实现最佳的信号完整性，甚至能够在高密度LRDIMM高信号负载条件下实现最高的可能运行速度。
戴尔PowerEdge服务器方案总监Chad Fenner解释说：“IDT是戴尔存储器生态系统的重要组成部分。我们已经在最新的采用英特尔至强®处理器E5-2600 V4系列产品实现的PowerEdge第13代服务器上认证了基于4RCD0224K寄存器和4DB0226K数据缓冲器的RDIMM以及LRDIMM。在针对插有768GB和更高容量的系统LRDIMM应用和优化中，IDT提供了非常有意义的带宽改进和强有力的支持。”
美光科技计算与网络事业部高级市场总监 Matthias Buchner表示：“美光科技采用4RCD0224K寄存器和4DB0226K数据缓冲器，并且在基于英特尔至强处理器E5-2600 V4产品系列服务器系统中实现了高达128GB的DDR4 LRDIMMs，以及高达32GB的RDIMMs。IDT一直在提供非常有竞争力的芯片组，使美光科技能够实现同类最好的产品，满足我们企业和云计算客户在性能、功耗和容量等方面的要求。”
IDT公司最新的芯片组已经过验证完全符合业已公布的JEDEC规范。有关IDT公司DDR4解决方案的更多信息，请访问www.idt.com/go/DDR4。
